三星回应DDR4存储器停产传闻：生产按序进行，聚焦高端产品

近日有市场传言称，三星电子计划于2025年4月终止1z纳米制程8GB LPDDR4存储器的生产，并要求客户在6月前完成最后订单，预计最迟于10月前完成出货。据传这一调整是因为国内智能手机LPDDR4存储芯片订单转向本土工厂制造，而三星将集中精力发展LPDDR5及以上级别的高端产品。
针对这一传闻，三星半导体方面在4月22日对媒体表示：“我们不对业界传言发表评论，目前所有生产活动均按照既定计划有序进行。”
在AI服务器需求的强劲带动下，2024年全球DRAM和NAND闪存销售收入创下历史新高，达到了1670亿美元，同比增长85.53%。然而，去年第四季度，全球NAND闪存市场规模却下降了8.5%，至174.1亿美元。展望2025年，预计全球存储市场产值仅能实现2%的微幅增长。
在动态随机存取存储器(DRAM)领域，2024年市场规模达到了970亿美元，总容量达到2500亿Gb。其中，高带宽存储器(HBM)成为一大亮点。
预测随着三星、美光、SK海力士等公司的HBM4产品在2025年开始量产，HBM产品在整个DRAM产业中的占比将达到近30%，市场总量将达到2880亿Gb。特别是在服务器内存消耗方面，其应用持续增长。
财报显示，2024年三星电子实现了收入300.9万亿韩元（约1.52万亿元人民币），同比增长16%；归属于母公司的净利润飙升至33.6万亿韩元（约1692.43亿元人民币），同比增长131%。其中，内存业务成为主要增长点，销售额达84.5万亿韩元，同比增长91%，HBM及DDR5产品的贡献尤为显著。
当前，三星专注于中高端DRAM存储器和NAND闪存芯片市场。据报道，2025年三星计划将HBM3E产能提升三倍，并将QLC SSD的市场份额目标设定为30%，相比2024年的15%大幅提升。同时，公司还计划减少超过20%的传统DRAM产能，转而生产如LPDDR5x和HBM等高端产品。
今年1月，HBM4内存已经准备采用4纳米工艺试产，待完成逻辑芯片最终性能验证后，三星将提供HBM4样品进行验证。
三星电子强调，业绩的强劲表现得益于对包括用于AI服务器和固态硬盘(SSD)在内的存储芯片的强大需求。“HBM、DDR5等以服务器为中心的产品销售扩大，加上积极应对生成式AI服务器用高附加值产品的需求，使得我们的业绩较上一季度大幅改善。”
里昂证券(CLSA)分析认为，数据中心和AI开发需求推动内存芯片平均价格环比上涨了15%，这帮助三星最大的部门扭转了去年同期的亏损局面。美银预测，三星2025年的HBM3e销售额预计将达到24亿美元，占HBM总销售额的34%。 
通过这些措施，三星不仅巩固了其在全球存储市场的领导地位，也为未来的持续增长奠定了坚实的基础。