三星拟停产旧规HBM，集中资源发力新一代存储技术

据业界消息，三星电子的HBM2E高频宽存储器（HBM）已进入“Last Buy”最后采购阶段，这意味着公司将资源集中于开发新一代HBM3E与HBM4。虽然三星对此未予确认，但有机构认为，随着HBM市场的年复合增长率超过45%，三星停产旧规格HBM有助于加快技术迭代，巩固其在全球存储市场中的地位，尤其是在与SK海力士、美光等厂商的竞争中。
与此同时，中国大陆的企业也在加速进军高端存储器市场。长鑫存储宣布其16纳米DDR5 DRAM已经实现量产，性能超越了SK海力士的12纳米产品，并计划在2025年将产能扩大到每月18万片晶圆，目标是在2026年切入LPDDR5和车用DRAM市场，为未来进入HBM领域铺平道路。
长江存储则凭借Xtacking混合键合技术迅速追赶，成功量产全球首款270层3D NAND闪存，缩小了与三星、美光之间的层数差距。其232层QLC NAND也已进入企业级存储市场，并与中国的人工智能芯片制造商紧密合作，强化数据中心和边缘计算布局。
长鑫和长江分别专注于DRAM和NAND两大领域，但双方的技术协作潜力备受关注。如果长鑫掌握了DRAM堆叠与混合键合技术，而长江拥有通过硅通孔(TSV)技术实现的Xtacking经验，两者结合有可能实现中国版本的HBM堆叠技术。
有机构指出，尽管三星、SK海力士和美光这三大原厂仍掌控着市场的主导权，但中国大陆企业的快速崛起不可小觑。近年来，以价格战为主要手段的策略使得2023至2024年间存储器的平均价格下跌超过了60%。这一趋势促使三星和SK海力士选择减产，而长鑫和长江则采取了“产能换市占”的策略，逆势扩张生产规模。
展望未来，三星计划扩大HBM3E的产能，并预计在2025年推出12层堆叠的HBM4，同时加速淘汰旧世代的DRAM和NAND生产线。随着地缘政治风险的增加，全球存储供应链正加速区域化发展。美国和韩国阵营正在加强与欧盟、印度的合作，而中国则依靠庞大的国内市场推动国产替代。未来五年内，两大阵营在技术和市场上的竞争态势将成为半导体产业的重要观察指标。