三星传启动第七代 DRAM 量产

先进 DRAM 的率先量产，被业界视为三星电子（Samsung Electronics）恢复第一名号的鸣枪起手式。传三星为了量产第七代 DRAM（1d DRAM），已组建任务小组（TF），计划配合相关时程表，为新一代高频宽记忆体（HBM）打下成功基础。
据业界消息人士 4 月 23 日透露，三星电子半导体（DS）部门的内存业务部门正在新组建一个负责工艺架构（PA）阶段的 TF，该部门正处于 10nm 第 7 代 DRAM（1D）量产的最后阶段，并且正在内部招募人员。据称，此次 TF 是为提升产品完美度而做出的一次全力投入。
三星电子还通过其半导体研究中心运营着一个个位数、精度超过 10 纳米的 “超精细 DRAM 工艺工作组”。三星电子计划通过成立第七代 DRAM 量产工作组（TF）等多种举措扭转近期被竞争对手压制的局面。三星电子于 2022 年末开发出全球首款第五代 DRAM（D1b），并于 2023 年 5 月开始量产，但未能确保良品率，且随着下一代产品开发延迟而失去竞争力。在第五代 DRAM 领域落后三星电子一步的 SK 海力士和美光公司都在同一年成功实现了 D1b 的商业化。特别是 SK 海力士去年完成了第六代 DRAM（D1c）的开发。三星电子决定量产第七代 DRAM TF，也可以解读为一种 “豪赌” 式的克服困难的意志。
三星电子计划通过 TF 加速下一代 DRAM 的量产。高密度、高性能 DRAM 是 “第六代 HBM4” 量产的必备产品，这将彻底改变 HBM 市场格局。据称，D1d 是一种比 D1c 更精细的工艺，一些内存公司表示他们已经成功开发了 D1c。10nm 级 DRAM 工艺正在按照以下顺序开发：1x（第 1 代）-1y（第 2 代）-1z（第 3 代）-1a（第 4 代）-1b（第 5 代）-1c（第 6 代）。随着进入下一代内存工艺，半导体电路线宽变得更窄，从而提高了性能和能源效率，1D DRAM 是 1C 之后的下一代产品。
目前还没有任何公司开发或量产第七代 DRAM。三星电子计划于 2026 年开始量产 10nm 级 D1d，并于 2027 年开始量产 10nm 以下第一代 DRAM（D0a）。SK 海力士已确保第六代 DRAM 的量产，并计划从今年下半年开始将其应用于通用 DRAM。对此，SK 海力士在今年 1 月的业绩说明会上强调，“计划通过预测未来（HBM）的供应情况来投资提升产能，未来将把 1c 纳米工艺应用于 HBM4E，通过及时开发和供应来保持市场领先地位”。
作为三星首款采用 3 级脉冲振幅调制（PAM3）信号技术的动态随机存储器，第七代图形用双倍数据传输率存储器在性能上有显著提升。其速度相比前代产品提高了 30%，能效改善 20%，可用于显卡、游戏机、汽车、高性能计算和人工智能机器学习等领域。并且，通过采用全新的封装材料和优化的电路设计，降低了 70% 的热阻，可靠性得到增强。