南亚科：DRAM市场上半年有望复苏，聚焦高价值产品线

中国台湾地区动态随机存储器（DRAM）制造商南亚科预计，常规DRAM市场可能在2025年上半年开始复苏。公司计划积极调整生产线，向DDR5、LPDDR5等高价值产品线发展，尽快实现扭亏为盈的目标。
南亚科董事长吴嘉昭在营业报告书中表示，从2025年起，个人电脑、智能手机及消费电子产品的需求有望回暖，加上行业库存逐季改善，常规DRAM市场可能在上半年开始复苏。
吴嘉昭指出，服务器整体出货量预计将持续增长，这将推动高带宽存储器（HBM）和大容量DDR5模块的出货增加。随着手机厂商库存逐步恢复正常水平，并因引入人工智能（AI）功能，预计整体手机出货量及DRAM搭载量都将有所增长。
关于个人电脑方面，吴嘉昭提到，由于操作系统更新带动企业换机需求，加之AI PC的推出，DRAM搭载量也将同步增长。
吴嘉昭还表示，其他消费电子产品的短期需求因中国刺激政策改善，加上库存减少推升单价，但美国关税问题带来的终端需求不确定性仍需持续观察。
在技术发展方面，吴嘉昭指出，南亚科预计在今年完成16Gb DDR5微缩版及16Gb LPDDR4验证，另外8Gb及16Gb LPDDR5产品也将导入试产。使用10纳米第三代制程技术的先导产品将于2025年下半年进入试产阶段，而使用10纳米第四代制程技术的先导产品则将在2026年第一季度导入试产。
吴嘉昭强调，AI相关的高带宽存储器（HBM）产品需要以下关键元素：高密度先进产品16Gb DDR5、3D IC硅穿孔工艺（TSV）及多芯片封装、高带宽产品设计以及逻辑基础IC。他补充道，南亚科自2017年开始重建自主研发团队，已推出两个10纳米级世代产品技术，并于2024年底量产第二代的16Gb DDR5。目前正积极重建TSV及多芯片封装技术和高带宽产品设计能力，同时通过战略性投资与合作构建逻辑基础IC及HBM集成，预计到2026年底达到验证目标。
为了应对未来市场的变化，南亚科不仅在技术创新上加大投入，还在产品结构优化方面做出了重要布局。公司将重点发展DDR5、LPDDR5等高端产品线，以满足不断增长的市场需求，特别是在数据中心、AI服务器和个人电脑等领域。此外，南亚科还将继续加强与上下游企业的合作，共同推动行业的可持续发展。
总之，面对复杂多变的市场环境，南亚科通过不断提升技术研发能力和优化产品结构，努力实现更高的商业价值和社会责任。未来，南亚科将继续致力于技术创新和市场拓展，力争在全球半导体行业中占据更加重要的地位。