三星加速布局3D DRAM技术，力争三年内实现量产

三星电子近期传出重大战略动向，计划在未来三年内实现新一代垂直通道晶体管（Vertical Channel Transistor, VCT）DRAM的量产。这一技术路线被视为突破当前DRAM物理极限的关键，三星希望通过率先商业化3D DRAM，重新巩固其在全球存储市场的领导地位。  
据韩国半导体行业消息，三星电子DS部门已明确将VCT DRAM作为下一代存储产品的核心方向，并启动相关研发与量产准备工作。VCT DRAM采用垂直堆叠结构设计，在传统平面工艺基础上进一步优化了电流控制效率。这种架构不仅能够提升单位面积内的存储密度，还能有效缓解10纳米以下制程面临的漏电和干扰问题。分析认为，这一技术可能成为存储领域继3D NAND之后又一颠覆性创新。  
目前，三星正在量产第五代10纳米级DRAM，并计划于2025年推出第六代产品。与此同时，三星已跳过第八代1e纳米制程的研发阶段，直接转向更具前瞻性的VCT DRAM开发。相较之下，竞争对手SK海力士则采取渐进式策略，规划第七代1b纳米DRAM后，再逐步导入1a纳米及后续的3D DRAM技术。若三星计划顺利推进，其技术路线图将比SK海力士提前至少一代。  
值得注意的是，三星近期还宣布将在美国硅谷设立3D DRAM专项实验室，专注于垂直通道晶体管（VCT）和堆叠式DRAM（VS-CAT）两大技术路径的研究。其中，4F2 VCT DRAM可减少约30%的单元面积，而VS-CAT DRAM则通过晶圆对晶圆混合键合技术实现多层堆叠。业界预测，三星的目标是在2025年完成4F2 VCT DRAM原型开发，并在2028年前实现VS-CAT DRAM的量产化。  
从市场角度看，3D DRAM的商业化将带来巨大的增长潜力。机构数据显示，全球3D DRAM市场规模预计在2028年突破千亿美元，主要受益于人工智能、数据中心和高性能计算等领域对高带宽内存的需求激增。三星此举不仅意在抢占技术先机，更希望通过3D DRAM重塑存储产业格局。  
尽管三星尚未公开具体的技术细节，但其战略选择已引发行业关注。随着AI芯片和HBM（高带宽内存）市场竞争白热化，3D DRAM的突破或将改变存储厂商之间的力量平衡。未来三年，三星能否兑现技术承诺，将成为观察半导体产业格局演变的重要风向标。