SK海力士HBM4技术全球首发：带宽突破2TB/s，引领AI存储新纪元
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2025-05-02
在中国台湾半导体厂家台积电2025年北美技术论坛上，SK海力士首次向公众展示了其最新一代高带宽存储器（HBM4）技术，并同步推出了多款面向人工智能和数据中心的创新产品。此次发布不仅标志着SK海力士在高端存储领域的技术突破，也进一步巩固了其在全球存储器市场的领先地位。
SK海力士此次在HBM4领域的技术突破，不仅彰显了其在存储器研发上的深厚实力，也为全球人工智能和高性能计算产业注入了新的动力。随着HBM4的量产和应用扩展，SK海力士有望在新一轮技术竞争中继续保持领先，同时推动整个行业向更高效、更绿色的方向发展。
HBM4技术规格与量产计划
SK海力士此次公布的HBM4技术单颗容量高达48GB，带宽达到惊人的2.0TB/s，I/O传输速率提升至8.0Gbps。这一性能突破得益于先进的MR-MUF封装工艺和硅通孔（TSV）技术的应用，使得存储器在保持高稳定性的同时，显著提升了散热效率和数据处理能力。
据官方透露，HBM4预计将在2025年下半年实现量产，并有望在2025年底前集成到实际产品中。值得注意的是，目前SK海力士是唯一一家公开展示HBM4技术细节的厂商，而竞争对手三星和美光仍处于样品开发阶段。这一技术领先优势为SK海力士在人工智能和高性能计算（HPC）市场抢占先机提供了重要保障。 HBM3E 16层堆叠技术与AI应用落地
除了HBM4，SK海力士还展示了全球首款16层堆叠的HBM3E存储器，其带宽高达1.2TB/s。该技术通过优化堆叠层数和封装工艺，实现了比现有HBM3E更高的性能表现。据悉，这款产品将直接应用于英伟达（NVIDIA）最新的GB300“Blackwell Ultra”AI集群平台，并计划在后续的Vera Rubin项目中升级至HBM4技术。
这一合作不仅体现了SK海力士与英伟达在AI领域的深度协同，也预示着未来HBM4将在大规模数据中心和人工智能训练场景中发挥关键作用。 服务器内存模块创新：覆盖AI与数据中心需求
在服务器内存领域，SK海力士同步推出了基于1c DRAM工艺的全新产品线，包括：
- MRDIMM系列：支持12.8Gbps速率，提供64GB、96GB和256GB容量选项，带宽相比传统RDIMM提升39%；
- RDIMM模块：以8Gbps速率提供64GB和96GB版本，并推出单条256GB的3DS RDIMM模块，通过3D堆叠技术实现更高密度存储；
- 3DS RDIMM：单条容量达256GB，专为超大规模数据中心和AI训练任务设计。
这些模块不仅大幅提升了服务器的数据处理效率，还通过降低功耗和优化散热设计，满足了高性能计算对稳定性和能效的严苛要求。 市场竞争格局与未来布局
SK海力士的HBM4技术突破和产品创新，使其在高端存储市场对三星、美光等传统巨头形成明显压力。通过与英伟达等头部客户建立紧密合作关系，SK海力士正在加速推动HBM4的商业化落地，并为下一代AI计算架构提供核心支撑。
随着人工智能、自动驾驶和云计算等领域的快速发展，高带宽存储器的市场需求将持续增长。SK海力士表示，未来将进一步优化HBM4的16层堆叠版本，目标是将单颗容量提升至48GB以上，并计划在2026年推出更先进的HBM4E技术。 SK海力士此次在HBM4领域的技术突破，不仅彰显了其在存储器研发上的深厚实力，也为全球人工智能和高性能计算产业注入了新的动力。随着HBM4的量产和应用扩展，SK海力士有望在新一轮技术竞争中继续保持领先，同时推动整个行业向更高效、更绿色的方向发展。
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