中国科学家在光刻机EUV光源获重大突破

近日，中国科学院上海光学精密机械研究所的林楠团队成功开发出基于固体激光器技术的LPP-EUV光源，实现了3.42%的转换效率，标志着中国在芯片制造领域取得关键性进展。这一成果对国产芯片及自主研发EUV光刻机具有重大意义。
林楠曾是阿斯麦（ASML）的核心光源技术专家，现任中科院研究员等多个重要职务，并拥有110余项国际专利。他带领团队采用固体脉冲激光器代替传统的二氧化碳激光技术，经过四年努力，在转换效率上实现反超，达到3.42%，超越了欧美顶尖研究团队的水平。
此次突破不仅是中国科研人员面对技术封锁时“中国式创新”的体现，也展示了中国在半导体全产业链布局上的进步。从新型光刻胶的研发到超分辨光刻技术的突破，再到28纳米光刻机的量产，中国正逐步构建完整的半导体技术体系。同时，越来越多海外留学博士选择回国，为中国半导体产业注入新的活力。
尽管西方国家试图通过技术封锁限制中国的发展，但中国市场已成为ASML等公司的重要收入来源，凸显了全球半导体产业链与中国市场不可分割的关系。
林楠团队的成功证明了自主创新的重要性。正如中科院院士王阳元所说：“中微半导体的刻蚀机已站上世界之巅。” 在面对技术封锁时，中国科研工作者正用智慧和汗水点燃属于自己的“技术黎明”。每一个小的进步都是通向最终胜利的新起点。