3D X-DRAM技术突破，或将引领存储器容量跃升新时代

近日，美国半导体公司NEO Semiconductor宣布推出两款基于其专利技术的全新3D X-DRAM单元架构——1T1C（单晶体管单电容）与3T0C（三晶体管零电容），旨在彻底革新传统DRAM存储器的技术瓶颈。该技术预计将在2026年完成概念验证测试芯片的制造，并有望在单一模块上实现高达512Gb（即64GB）的存储容量，较目前主流产品提升整整10倍。
这一创新采用了基于氧化铟镓锌（IGZO）材料的晶体设计，这种材料因在高分辨率显示技术中的优异表现而广为人知。通过将其引入DRAM结构中，NEO成功实现了类似3D NAND闪存的堆叠式架构，在保持节能特性的同时，显著提升了存储密度和数据吞吐能力。
据海外科技媒体Tom’s Hardware报道，3D X-DRAM在模拟测试中展现出10纳秒的读写延迟以及超过9分钟的数据保留时间，这两项关键指标均优于当前DRAM的表现，显示出其在性能与稳定性的双重优势。
更令人期待的是，这项新技术可兼容现有3D NAND制造工艺流程，意味着全球主要存储芯片制造商有望以较低成本升级产线，快速导入新型DRAM产品的量产。这不仅有助于加快技术落地进程，也有望推动整个行业向更高容量、更低功耗的方向发展。
NEO Semiconductor首席执行官Andy Hsu表示：“随着1T1C和3T0C 3D X-DRAM的推出，我们正在重新定义存储器技术的边界。这项创新打破了传统DRAM在扩展性方面的限制，也使我们在下一代存储技术竞争中占据领先地位。”
据悉，NEO计划于本月在IEEE国际内存研讨会（IEEE IMW）上进一步公开相关技术细节，包括其3D X-DRAM与3D NAND系列产品的发展蓝图。与此同时，其他厂商如采用FeRAM技术的DRAM+方案也在紧锣密鼓推进中，SK海力士等全球领先存储大厂同样在积极布局未来标准DRAM的演进路径。
尽管3D X-DRAM仍面临良率控制、量产稳定性及市场接受度等多重挑战，但其在容量与能效方面的突破已引发业界广泛关注。若顺利实现商业化，该项技术或将为高性能计算、数据中心、人工智能乃至消费电子领域带来深远影响，成为驱动下一轮算力革命的重要引擎之一。