联电取得IBM授权，开发20奈米暨FinFET

联电取得IBM授权，开发20奈米暨FinFET 3D电晶体制程技术

联电(2303)29日宣布已取得IBM所授权的技术，将以FinFET 3D电晶体，促进次世代尖端20奈米CMOS制程的开发。双方协议IBM将授权其20奈米设计套件以及FinFET技术给联电，联电将可运用这些技术，加快推出这些制程给客户采用的时程。

    联电与IBM两家公司的协议内容，包括IBM的20奈米CMOS与FinFET技术。联电内部自行研发的20奈米平面(planar)制程，将与IBM的设计规则与制程/元件目标同步，未来联电的FinFET技术，将针对行动运算与通讯产品，做为更强化的低耗电技术选项。此项研发将于联电位于南科的研发中心进行。