AI驱动存储革命！三星重磅推出NAND与CXL融合技术

在人工智能与高性能计算需求爆发的时代，存储技术正经历前所未有的变革。作为全球半导体领域的领军者，三星电子近期宣布的一项突破性进展，或将重新定义数据中心的存储架构——其正在研发的混合CXL（Compute Express Link）模块，通过创新性地整合NAND闪存与DRAM，为AI时代的算力需求提供了全新解决方案。
 混合CXL模块：突破传统存储瓶颈
三星此次开发的混合CXL模块（CMM-H™），采用独特的分层存储设计，将高速DRAM与大容量NAND闪存集成于同一扩展卡中。这种架构通过CXL 3.0接口实现与CPU的高速互联，不仅能将服务器内存容量提升数倍，更通过智能缓存机制优化数据调度：热数据自动驻留在DRAM区域以保障响应速度，冷数据则迁移至NAND闪存降低成本，从而在性能与容量之间取得精妙平衡。
值得关注的是，该模块采用FPGA作为控制核心，可动态调整存储策略以适应不同工作负载。例如在AI训练场景中，通过API接口接收应用层指令，优先保障模型参数的实时读写效率。这种灵活性使其在应对大语言模型、自动驾驶等高算力需求时展现出显著优势。
 技术布局：3D DRAM与400层NAND的双重加持
除混合CXL模块外，三星在存储技术领域的全面布局同样引人瞩目。根据最新披露的路线图，其计划于2025年推出基于垂直沟道晶体管技术的早期版本3D DRAM，通过立体堆叠将单位芯片容量提升至100GB，较传统平面结构提高近3倍。这一技术突破不仅能缓解“内存墙”问题，更有望在2030年形成千亿级市场规模。
与此同时，三星在NAND闪存领域的进展同样领先。其自主研发的400层堆叠TLC NAND闪存已完成开发，预计2025年第二季度末启动量产。该技术通过更先进的堆叠工艺实现1Tb单Die容量，配合CXL模块的分层架构，将为数据中心提供兼具高性能与高密度的存储方案。
 行业竞争：CXL赛道的龙虎之争
面对AI带来的存储需求爆发，三星的竞争对手同样动作频频。SK海力士近期宣布自研CXL 3.0控制器，并计划于2025年量产支持CXL的DDR5内存模块。而在HBM领域，SK海力士凭借先发优势占据全球90%市场份额，这也促使三星加速在CXL领域的技术投入以寻求差异化竞争。
从行业趋势看，CXL正成为连接计算与存储的核心技术。澜起科技等企业的调研数据显示，随着PCIe 6.0协议的普及，支持CXL的互连芯片需求将持续增长，预计2025年相关市场规模将突破百亿美元。这种技术变革不仅推动存储架构向“计算型存储”演进，更催生了从芯片设计到系统集成的全新产业链生态。
 未来展望：AI时代的存储新范式
随着生成式AI的爆发式发展，数据中心对存储系统的带宽、延迟和容量提出了近乎苛刻的要求。三星的混合CXL模块与3D DRAM技术，正是针对这一趋势的战略性布局。通过将存储层次从传统的“内存-硬盘”两级架构扩展为“DRAM-NAND-SSD”的三级体系，其不仅能满足当前千亿参数大模型的训练需求，更为未来EB级数据处理提供了可行路径。
可以预见，随着CXL生态的不断完善，存储与计算的深度融合将成为必然趋势。正如AI技术正在重塑各行业一样，这场由存储革命引发的算力升级，或将开启数字经济发展的新篇章。而三星等企业在技术研发上的持续投入，无疑为这一进程注入了强劲动力。