三星双园区投资1c DRAM

三星此前已确认在平泽P4工厂建设1c nm DRAM产线，并计划于 2026年6月 投入运营。如今，新增华城园区的投资将进一步扩大产能，覆盖更多技术节点的研发与生产需求。南韩业界分析指出，三星此举表明其对 1c DRAM良率提升 的信心，尤其是在解决此前因良率不足导致量产延迟的问题后，三星希望通过双园区布局巩固其在DRAM市场的竞争力。

1c DRAM是第六代10纳米级制程（10~10nm），代表当前DRAM技术的前沿。然而，三星在开发过程中曾面临良率难题，导致量产时间从原定的 2024年底 延迟至 2025年底。根据行业消息，三星计划在 2025年上半年 全力提升良率，目标将良率从当前的 约70% 提升至更高水平，以确保1c DRAM的稳定供应。这一进展对HBM4的量产至关重要，因为HBM4将直接依赖1c DRAM裸片作为核心组件。

三星在HBM4领域的布局不仅依赖1c DRAM技术，还计划采用 混合键合技术（Hybrid Bonding），以降低堆叠层高度、提升信号完整性并减少发热。混合键合技术通过 铜-铜直接键合 和 氧化物-氧化物表面连接，取代传统的微凸块工艺，可实现低于10微米的互连间距，显著提升HBM4的性能和能效。  此外，三星正与 英伟达、Meta、微软 等AI巨头合作，开发 定制化HBM4解决方案。例如，三星计划为微软的AI芯片“Maia 100”和Meta的Artemis AI芯片提供基于 4nm逻辑基板（Logic Base Die） 的HBM4，允许客户集成自有IP，优化数据处理效率并降低功耗。这一策略有望帮助三星在HBM市场缩小与SK海力士的差距，抢占AI云服务巨头的订单。

 1. SK海力士主导地位：SK海力士是英伟达HBM3E的主要供应商，且计划在HBM4E中采用1c DRAM和混合键合技术，技术路线与三星相似。  

2. 美光与台积电竞争：美光也在推进HBM4的量产，而台积电在晶圆代工领域的领先地位进一步挤压三星的市场空间。  

- 1c DRAM良率风险：若良率未能如期提升，可能导致HBM4量产延迟，削弱市场竞争力。  

- 混合键合技术成本：混合键合设备昂贵且占用更多晶圆厂空间，三星需平衡资本支出与产能效率。  

- 客户需求波动：AI芯片厂商（如英伟达）的订单分配可能受技术验证周期和供应链稳定性影响。  

三星通过 双园区投资1c DRAM 和 HBM4技术升级，展现了其在存储器领域的长期战略决心。若技术突破顺利，三星有望在2026年HBM4市场中实现弯道超车，但需持续关注良率优化、成本控制及客户合作进展。这一布局不仅关乎三星在存储市场的地位，也将影响全球AI基础设施的硬件生态格局。