因应市场换代，长鑫存储2026年年中前逐步减产淘汰DDR4，转产DDR5、HBM

因应市场换代，中国大陆存储器大厂长鑫存储计划在2026年底前逐步减少针对服务器及PC应用的DDR4产品产能，并全面转向DDR5和高频宽存储器（HBM）领域。预计 2026 年年中左右逐步淘汰用于服务器和PC 的DDR4 产品，全面转向 DDR5 和高频宽记忆体（HBM）。
据报导，预计到2025年底，长鑫单月产能将达到28万片晶圆，未来有望突破30万片，占全球DRAM产量的15%。届时，DDR5、LPDDR4与LPDDR5将占据其总产能的60%以上。
未来，长鑫将不再开发标准型DDR4产品，仅保留部分产线为兆易创新代工生产，以保障消费市场供应。此外，长鑫还在推进HBM3等高端存储解决方案的研发。
业内人士指出，这一战略调整背后是政策驱动。中国正推动主要芯片制造商加快与国家目标对接，尤其是在人工智能和云基础设施领域。
为了应对市场换代升级，三星、美光科技、SK海力士等国际厂商也正在缩减DDR4比重，将更多资源投向DDR5及低功耗移动存储器。机构预测，随着技术升级加速，全球DRAM市场价格可能继续下探。
尽管长鑫在DDR5量产方面取得进展，但受限于制造设备进口，良率仍较低。不过，也有消息称其良率已提升至约80%，远高于初期水平。
Counterpoint数据显示，2024年长鑫在全球DRAM市场的产能占比达13%，出货量和销售额分别占6%与3.7%。预计到2025年，其产能将增长至与美光科技相当水平。
慧荣科技此前表示，随着长鑫LPDDR5与DDR5出货量上升，其全球市占率有望从2024年的10%进一步提升至2025年的15%。随着制程工艺持续升级，长鑫的发展动向已成为全球存储产业关注焦点。