中国HBM技术迅速崛起，缩小与全球领先者的差距

2025年5月26日，摩根士丹利发布亚洲科技报告指出，中国在存储器领域的进步正在快速推进，不仅在DRAM技术上缩小了与全球领先者的差距，在高频宽存储器（HBM）方面也日益成熟，目标是在2027年实现HBM3/3E的量产。近期改良版H20图形GPU的进展可能缩短产品上市时间差。
目前中国在HBM3技术上仍落后全球领先者约3-4年，但通过提升本土AI芯片制造能力，这一差距正逐步缩小。长鑫存储已进入1z纳米工艺生产DDR5，其DRAM技术差距从5年前缩短至3年。与此同时，中国在混合键合封装时代占据较强位置，具备追赶能力。
英伟达计划推出的降级版H20 GPU可能采用GDDR7，不含先进封装技术和HBM，这将带来新的市场变化。据估计，若今年出货量为100万片，GDDR7市场规模有望增加约4亿美元，主要受益方为三星。
面对美国出口管制带来的挑战，中国加快技术替代路径的发展。游戏GPU成为AI推理的新选择，DeepSeek通过架构和软件创新显著提升了计算效率，使得游戏GPU也能支撑中小企业和个人运行大模型。预计到2027年，中国工作站推理需求将占整体市场的15%以上。
在HBM领域，中国企业正加速布局。长鑫存储HBM2客户送样已在进行中，预计2025年中启动小批量生产，并于2026年量产HBM3。通富微电、长电科技等企业参与先进封装环节。武汉新芯、捷捷半导体等也在积极投入HBM相关技术研发。
长鑫存储计划2025年底将DDR5/LPDDR5产能提升至每月11万片，占全球DRAM产能的6%。尽管缺乏极紫外光刻（EUV）设备，面临一定挑战，但其技术路线图仍在稳步推进。预计到2026年底，长鑫HBM产能将达到每月约1万片，2028年扩充至每月4万片，虽然仍远低于当前全球HBM产能每月34万片的水平，但已显示出强劲增长势头。
混合键合技术被视为未来HBM发展的关键。中国企业在该领域拥有较多专利，长江存储自2017年起已大规模生产基于混合键合的NAND闪存，拥有丰富的技术积累。相比之下，三星和SK海力士披露的相关专利数量较少。集邦咨询认为，HBM制造商正考虑从2027年的HBM4e开始导入混合键合技术，并确定将在HBM5 20层堆叠产品中应用。
整体来看，尽管在高端DRAM和HBM领域仍存在技术瓶颈，但中国企业的快速发展正推动全球竞争格局的变化。随着政策支持和技术突破，中国有望在HBM及高端存储市场进一步提升竞争力，对全球存储产业链产生深远影响。