英特尔与软银携手：打造耗电量减半的 HBM 替代方案，剑指 2027

在人工智能蓬勃发展的当下，高性能计算需求如汹涌浪潮般袭来，而内存技术作为算力的关键支撑，正面临着前所未有的挑战与变革。其中，高频宽存储器（HBM）凭借其卓越的数据传输能力，在 AI 处理器领域占据了重要地位。然而，HBM 复杂的制程工艺、高昂的成本、易发热以及高功耗等问题，犹如一道道枷锁，限制了其更广泛的应用与普及。就在行业翘首以盼突破之际，一则重磅消息为市场注入了一剂强心针：英特尔与软银强强联合，携手成立新公司 Saimemory，全力攻坚，致力于开发耗电量减半的 HBM 替代方案，计划在 2027 年前完成原型设计，进而重塑 AI 内存市场格局。

HBM 痛点凸显，亟待革新突破
当前，AI 处理器对数据处理的高效性与及时性提出了近乎苛刻的要求，HBM 凭借其高带宽特性，能够在短时间内快速传输海量数据，完美适配 AI 运算中大量数据的频繁读写操作，因而成为了大多数 AI 处理器的首选。以 AI 数据中心为例，每秒都要处理数以亿计的数据请求，HBM 在保障数据流畅传输、维持系统高效运行方面发挥着关键作用。但繁华背后，隐忧重重。HBM 的制造过程需要极为精密的技术和先进的设备，涉及多层芯片堆叠、精细的电路布线以及严苛的工艺控制，每一个环节都容不得半点差错，稍有不慎就会导致产品良率下降，成本飙升。

与此同时，HBM 在运行时会产生大量热量，犹如一个小型发热源，这不仅需要配备复杂且昂贵的散热系统来保障其稳定运行，增加了硬件成本和空间占用，还会因散热问题限制设备的性能发挥和运行稳定性。此外，高耗电量也是 HBM 难以回避的短板，在能源成本日益攀升、全球倡导绿色节能的大背景下，数据中心为维持 HBM 的运行，每月需承担高昂的电费支出，这无疑给企业带来了沉重的经济负担和能源管理压力。这些痛点交织，严重制约了 HBM 在更广泛场景中的应用拓展，也促使行业迫切寻求新的解决方案，以打破这一发展瓶颈。

巨头携手，开启创新征程
面对 HBM 的诸多困境，英特尔与软银敏锐捕捉到了市场机遇，果断决定携手合作，成立 Saimemory 公司，向这一难题发起挑战。英特尔，作为全球半导体领域的领军企业，在芯片设计、制造工艺、封装技术等方面积累了深厚的技术底蕴和丰富的实践经验，拥有众多前沿专利和顶尖研发团队。软银，则是在全球科技投资与创新领域极具影响力的巨头，不仅手握雄厚的资金实力，还对新兴技术趋势有着精准的洞察力和前瞻性的战略眼光，在推动科技项目商业化落地方面成绩斐然。二者的强强联合，堪称优势互补，为攻克 HBM 替代方案奠定了坚实基础。

Saimemory 将基于英特尔先进技术与东京大学等日本学术界的专利成果，全力投入新型堆叠式 DRAM 解决方案的研发。他们计划通过巧妙的 DRAM 芯片堆叠设计以及对芯片内部连接方式的深度优化，实现存储容量至少翻倍的重大突破，同时将耗电量降低 40%，大幅削减成本。尤为引人注目的是，这款全新的堆叠式 DRAM 芯片，其耗电量有望比同级 HBM 减少一半，这一指标的实现将为 AI 数据中心带来革命性的变革，不仅能显著降低运营成本，还能提升能源利用效率，助力数据中心向绿色、高效方向转型升级。

巨额投入，坚定研发决心
为确保项目顺利推进，软银展现出了坚定不移的决心，毅然出资约 30 亿日元，成为 Saimemory 的最大股东。而 Saimemory 初期规划的研发经费更是高达 150 亿日元，如此巨额的资金投入，彰显了双方对这一项目的高度重视与志在必得的信念。

在技术研发的征程中，Saimemory 将充分汲取英特尔在半导体领域的深厚技术积累，结合东京大学等学术机构在材料科学、电子工程等相关领域的前沿研究成果。英特尔的先进封装技术能够实现芯片的高密度集成与高效数据传输，而东京大学等在新型材料研发、电路设计优化等方面的创新突破，为提升芯片性能、降低功耗提供了理论支撑和技术路径。双方优势资源深度融合，计划在未来两年内完成产品原型设计，并对其进行全方位评估，判断是否具备大规模量产的条件。值得一提的是，Saimemory 将主要聚焦于知识产权管理以及芯片设计环节，充分发挥其技术创新与专利保护优势，而将芯片生产环节委托给外部专业的代工厂商，这种专业化分工模式能够有效整合各方资源，加速研发进程，提高产品从实验室到市场的转化效率。

软银布局，抢占市场高地
从软银的战略布局来看，投资 Saimemory 并深度参与新型 AI 存储器的研发，具有深远的战略意义。目前，全球 AI 用 HBM 市场主要由韩国的 SK 海力士和三星电子主导，日本厂商在这一核心领域大多只能在材料供应和制造设备等边缘环节参与产业链，且由于 HBM 供应紧张，日本企业在获取 HBM 芯片时困难重重，时常面临供应短缺的困扰。软银作为一家在全球科技投资领域举足轻重的企业，自身运营着庞大的 AI 数据中心业务，对高效、低耗的存储器有着强烈的内在需求。若 Saimemory 研发的新型存储器能够取得成功，软银不仅可以凭借股东优势优先获得供应，从根本上解决自身数据中心对存储器的迫切需求，大幅降低运营成本，提升数据中心的竞争力；还能借助这一技术优势，在全球 AI 数据中心市场的激烈竞争中脱颖而出，进一步巩固和提升其在 AI 领域的话语权与影响力。

从市场前景分析，波士顿顾问集团（BCG）预测，在 2023 - 2027 年期间，AI 相关服务器出货量将呈爆发式增长，激增 6 倍之多，DRAM 出货量也将以年均 21% 的速度迅猛上扬。这一数据直观地反映出 AI 领域对存储器的需求正处于井喷式增长阶段。然而，全球仅有三星、SK 海力士与美光三家公司能够生产最新一代 HBM 芯片，供应严重不足，市场缺口巨大。在这样的市场背景下，Saimemory 的 HBM 替代产品一旦成功问世并实现商业化量产，将如同久旱甘霖，迅速填补市场空白，抢占市场份额，尤其是在对成本和能耗极为敏感的日本数据中心市场，有望凭借其独特的性能优势和成本竞争力，成为市场的新宠。更为重要的是，这一举措还有望助力日本在时隔 20 多年后，重新跻身存储器芯片主要供应国行列，重塑日本在全球半导体产业格局中的地位。

赛道角逐，技术各显神通
需要明确的是，在 3D 堆叠式 DRAM 技术的赛道上，Saimemory 并非独自奔跑，而是面临着诸多强劲的竞争对手。三星早在去年就已高调宣布推出 3D 堆叠式 DRAM，凭借其在半导体领域的深厚积累和强大的研发制造能力，试图在这一新兴领域占据一席之地。另一家公司 NEO Semiconductor 也在紧锣密鼓地开发名为 3D X - DRAM 的新技术，全力以赴参与市场竞争。不过，深入剖析后会发现，三星和 NEO Semiconductor 的方案主要聚焦于提升单一芯片的容量，目标是打造高达 512GB 的大容量存储器模组，旨在满足对存储容量有极致需求的特定市场场景。而 Saimemory 则另辟蹊径，独树一帜地将核心目标锁定在降低耗电量上，这一差异化定位切中了当前 AI 数据中心电力需求呈指数级增长、能源成本居高不下的痛点，对于亟待降低运营成本、提升能源利用效率的数据中心而言，无疑是最为迫切和关键的需求。
英特尔与软银携手成立 Saimemory 公司，全力研发耗电量减半的 HBM 替代方案，为 AI 存储器市场带来了全新的活力与变革的曙光。在未来几年里，整个行业都在翘首以盼，期待 Saimemory 能够成功突破技术难关，按时推出高性能、低功耗、低成本的产品，在激烈的市场竞争中突出重围，为 AI 行业献上更优质的存储解决方案，彻底重塑行业格局，推动 AI 技术迈向新的发展高度。