韩媒：中国半导体快速崛起挑战韩国半导体？

近日，韩国媒体《hankyung》发表文章，对韩国半导体产业当前面临的困境表示深切忧虑。文章指出，中国半导体企业正通过一系列手段快速崛起，给韩国半导体产业带来了前所未有的巨大挑战。
在人才与技术层面，中国企业被指从三星、SK海力士等韩国半导体龙头企业挖走大量人才，并在诸如HBM（高频宽存储器）等先进技术方面取得进展。
美国制裁之下，中国企业为快速获取半导体设备，不惜以比原价高出1.7至2倍的价格，向韩国半导体设备商下达紧急订单，疯狂采购制造LPDDR5和HBM等先进产品所需的设备。全球逾九成半导体设备市场由美日厂商掌控，韩国产品受美国监管较少，这使韩国成为中国企业透过第三国采购设备的重要替代方案。
市场数据彰显了中国半导体企业的迅猛发展势头。在NAND闪存市场，长江存储在2025年第一季度的全球市占率已超8%，排名第六，这是中国半导体公司市占率首次得到官方确认。长江存储已开发出约300层堆叠的NAND产品，技术与三星相当。业内人士预测，长江存储有望在一两年内与SK海力士和美光并驾齐驱，并预计在2025年下半年跻身全球NAND市场前三。
DRAM市场中，长鑫存储的市占率已超4%，位居第四，仅次于SK海力士、三星电子和美光，这意味着长期由三大巨头主导的DRAM产业格局或将被打破。长鑫存储目前正开发第四代高频宽存储器（HBM3），并预计在2025年下半年与三星、SK海力士和美光，成为全球四大DRAM厂商之一。
韩国半导体产业在看到第一季市占率报告后大为震惊。首尔国立大学教授黄哲成（音译）直指，十年内全球DRAM领导地位可能从韩国转移到中国。专家警告，中国半导体企业背后有强劲的中国国内需求支持，且已拥有顶尖技术，其对全球半导体市场格局的影响才刚刚开始。