三星借助HBM3E稳供AMD MI350，期待MI400系列带来更大突破

在全球半导体市场竞争日益激烈的背景下，韩国三星电子凭借其12层堆叠HBM3E高频宽存储器成功打入AMD的AI加速器供应链，为自家HBM技术的应用开辟了新的篇章。随着AMD宣布在其新款AI加速器MI350系列中采用三星和美光的HBM3E内存，三星在高端存储器领域的地位得到了进一步巩固。
在最近于美国旧金山圣何塞会议中心举办的“AI Advancing 2025”活动上，AMD发布了其最新款AI加速器MI350X和MI355X，这两款产品均搭载了三星提供的12层堆叠HBM3E内存。尽管之前已有传闻称三星向AMD供应HBM内存，但这是AMD首次公开确认这一合作关系。两款新品虽然在散热设计上有所不同，但它们都配备了288GB的内存容量，相较于前代产品的192GB至256GB有了显著提升，性能也因此得到了增强。
此外，AMD还计划推出配备多达128个GPU的服务器机架，每个机架将集成总计2.3TB的HBM3E内存，这无疑将极大地推动三星在HBM内存市场的供应规模。更令人瞩目的是，AMD预计将在2026年推出的MI400系列GPU中使用432GB的HBM4内存，并计划配置72片MI400系列GPU的Helios服务器机架，每台机架将拥有高达31TB的HBM4内存，其AI处理能力将是当前一代MI355X服务器机架的十倍之多。
根据市场研究公司Omdia的数据，截至2025年第一季度，SK海力士占据了全球DRAM市场份额的36.9%，而三星则以34.4%紧随其后，美光占25%。面对如此激烈的竞争态势，三星决心通过开发第六代10纳米级（1c）工艺的HBM4来扭转局势，超越竞争对手SK海力士和美光所采用的第五代10纳米级（1b）工艺。
JEDEC标准确定之后，HBM4即将进入量产阶段，三星与SK海力士均计划在今年底开始大规模生产HBM4。对于三星而言，能否凭借HBM4重新夺回市场领导地位至关重要。如果不能实现这一目标，三星与SK海力士之间的差距可能会进一步拉大。与此同时，AMD也希望通过MI400系列缩小与英伟达之间的差距，因此三星需要继续强化从MI350系列开始建立的合作关系，确保自身在全球高端存储器市场中的竞争力。
总之，三星此次与AMD的成功合作不仅为其HBM业务注入了一剂强心针，也为未来的HBM4市场奠定了坚实的基础。随着技术的不断进步和市场需求的增长，三星有望在未来几年内实现对竞争对手的反超，重回行业巅峰。未来，我们有理由期待三星能够在人工智能、高性能计算等领域发挥更大的作用，为全球用户提供更加先进的存储解决方案。