美光HBM3E同时打入英伟达与AMD数据中心供应链，AI芯片竞争再升温

在全球人工智能（AI）技术高速发展的背景下，高性能计算（HPC）和图形处理器（GPU）对高频宽存储器的需求持续攀升。近期，全球存储大厂美光宣布其12层堆叠的HBM3E存储器正式整合进AMD最新发布的Instinct MI350系列GPU平台，并继续为英伟达（NVIDIA）的Blackwell架构数据中心提供支持，标志着美光在高端存储器市场中的竞争力显著提升。
这一进展不仅巩固了美光在HBM领域的地位，也进一步加剧了三星、SK海力士与美光之间的激烈竞争。目前，不论是AMD的MI350系列还是英伟达的Blackwell系列数据中心产品，均采用了美光提供的高容量、低功耗HBM3E解决方案，其中单颗容量达到36GB，总内存容量相较8层堆叠版本提升了50%，同时功耗降低约20%。
美光携手AMD，推动AI模型参数突破5200亿
在AMD发布新一代AI加速器MI350系列之际，美光的12层堆叠HBM3E成为该系列产品的重要组成部分。该GPU平台基于AMD最新的CDNA 4架构设计，搭配总计288GB的HBM3E内存，可提供高达8TB/s的数据带宽，有效支撑单颗GPU运行高达5200亿个参数的AI模型训练任务。此外，在完整服务器配置中，系统整体HBM3E内存容量可达2.3TB，并可在FP4精度下实现161 PFLOPS的理论峰值性能，展现出卓越的能效比和扩展能力。
这不仅大幅缩短了AI模型的训练时间，也有助于提高数据中心的整体运算效率，满足日益增长的大语言模型（LLM）训练、推理及科学模拟等复杂应用场景的需求。
 美光加速追赶三星，SK海力士仍居领导地位
尽管三星此前已在HBM3E领域取得先发优势，并获得部分AMD订单，但美光此次正式进入MI350系列供应链，意味着其在高端存储市场的布局已初见成效。与此同时，外界仍在观察三星的HBM是否能顺利通过英伟达认证，这将成为其后续能否维持领先地位的关键因素之一。
当前，SK海力士依然稳居HBM市场领导者地位，并已率先迈入HBM4的技术竞赛阶段。随着JEDEC标准逐步明确，三星与美光也正加快HBM4的研发节奏，准备在2026年全面量产。未来，围绕HBM4的带宽、容量和封装技术之争，将进一步影响AI芯片和数据中心的发展格局。
市场反应热烈，存储产业链持续受关注
受AMD AI芯片发布利好带动，韩国存储厂商股价近期表现强劲。SK海力士股价一度创下历史新高，反映出资本市场对AI驱动下的存储需求持续看好的预期。而随着HBM技术不断演进，以及各大GPU厂商对高性能存储器的依赖加深，整个存储产业链将持续受到投资者和产业界的密切关注。
总体来看，AI浪潮正在重塑全球半导体产业格局，而HBM作为关键基础设施之一，已成为存储厂商竞相争夺的战略高地。美光凭借HBM3E的成熟布局，成功打入两大GPU巨头供应链，为其在HBM4时代争取更多市场份额打下了坚实基础。未来，谁能在技术迭代与客户合作方面更进一步，谁就将在AI时代的存储战中占据更有利的位置。