HBM5或将2029年登场，散热与封装技术成竞争新焦点

据韩国THELEC报道，随着人工智能和高性能计算的快速发展，高带宽存储器（HBM）正加速迭代。据韩国科学技术研究院（KAIST）教授Joungho Kim透露，HBM5有望在2029年前后实现商业化，届时冷却技术和先进封装工艺将成为各大厂商争夺市场主导权的关键。
当前主流的HBM4已开始承担部分GPU运算任务，导致芯片温度上升，传统液冷方式逐渐难以满足需求。因此，HBM5预计将采用浸没式冷却技术，将整个封装模块连同基底芯片一同浸泡于冷却液中，大幅提升散热效率。
此外，未来HBM还将引入流体硅通孔（TSV）、热通孔（TTV）等新型结构，并可能与高带宽闪存（HBF）融合，推动3D NAND与DRAM协同封装。而到HBM8阶段，甚至可能出现内存直接安装在GPU上的设计，进一步提升性能。
与此同时，混合键合技术也成为焦点。相比传统凸块连接，它能提供更高的I/O密度和更小封装尺寸。三星和SK海力士均已在HBM产品中测试并计划大规模应用该技术，以应对更高堆叠层数带来的挑战。
总体来看，HBM正迈入一个对热管理和封装技术要求更高的新阶段。谁能率先突破冷却与键合瓶颈，谁就能在未来存储竞争中掌握主动权。