SK海力士引领HBM4技术突破，人工智能芯片竞争格局生变

近日，韩国存储厂商SK海力士在高频宽存储器（HBM）领域取得重大进展，成为首家向英伟达供应下一代HBM4模块的厂商。这些存储器将用于英伟达Rubin AI GPU的样品测试，标志着SK海力士在HBM4技术领域的持续领先，并在与美光和三星的竞争中占据先机。
据Wccftech报道，HBM4作为未来人工智能市场的重要技术载体，其核心创新在于首次将存储单元与逻辑芯片整合至同一封装中。这种架构突破显著提升了AI工作负载的处理效率，尤其适用于大规模数据训练和推理场景。SK海力士不仅率先实现技术落地，更公开展示了其16层堆叠HBM4技术，单模块带宽高达2.0TB/s，配合台积电提供的逻辑芯片，为高性能计算设备提供了更强的算力支持。
除16层堆叠方案外，SK海力士还推出了全球首款12层堆叠HBM4样品，单模块容量达36GB，带宽同样达到2TB/s，进一步巩固其技术优势。韩国媒体DealSite透露，SK海力士已开始小批量向英伟达供应HBM4产品，这标志着该技术正式进入商用阶段。凭借与英伟达的深度合作，SK海力士有望在HBM4订单中占据主导地位，这对提升企业营收和市场份额具有重要意义。
值得注意的是，SK海力士与英伟达的战略合作将直接影响2025年下半年AI芯片市场的格局。根据计划，英伟达将在2025年第四季度启动Rubin AI GPU架构的客户验证，而SK海力士提供的HBM4存储器将成为其核心组件。这一技术协同效应不仅保障了英伟达6个月产品迭代周期的稳定性，也为Rubin GPU的量产铺平道路。
尽管SK海力士目前处于领先地位，但HBM4市场竞争仍趋激烈。美光虽被视为第二梯队选手，但其面临良率偏低和产线资源不足的挑战，产能扩张速度受限。而存储巨头三星则在HBM4领域稳步推进，近期因HBM3E模块被AMD采用而改善市场形象，未来可能通过多源供应商策略重回英伟达供应链。三星正通过优化1c制程DRAM工艺提升良率，这将直接决定其HBM4产品的竞争力。
随着SK海力士HBM4技术的成熟落地，英伟达Rubin GPU的商业化进程正在加速。预计2025年下半年推出的下一代AI架构将进一步巩固英伟达在人工智能芯片领域的领导地位，同时推动HBM4市场迎来规模化增长。这场存储技术与算力需求的共振，或将重塑全球AI硬件生态系统的竞争格局。