2纳米制程竞赛：三星在美国的抢先布局与挑战

在全球半导体产业的竞争中，2纳米制程成为了各大厂商争夺的技术高地。韩国媒体报道称，三星电子计划于明年第一季度在美国德克萨斯州泰勒工厂启动2纳米芯片的量产，试图在这一尖端技术领域领先中国台湾半导体厂家台积电一步。然而，良率问题仍然是三星面临的主要挑战之一。
据传，三星原本计划在平泽第二厂区建设1.4纳米生产线，但该计划可能延迟至2028年。为了加快进度，三星决定将泰勒工厂原定的4纳米生产线改为2纳米制程。目前，泰勒工厂正在进行无尘室施工，并已进入设备选择阶段，部分供应商预计将在明年初进场部署。
随着人工智能（AI）应用对高性能芯片需求的激增，三星希望通过成为美国首家量产2纳米芯片的企业，重新夺回市场主导地位，并吸引美国本土科技巨头的合作。此外，此举还可能帮助三星获得美国政府的政策支持，特别是在中美科技竞争加剧的背景下。
尽管如此，三星在2纳米制程上的最大障碍依然是良率问题。据报道，台积电目前的2纳米良率约为60%，而三星的良率仅约40%。虽然三星在3纳米制程上率先采用了环绕栅极（GAA）技术，但如何提升良率仍是其成功的关键。
此次2纳米竞赛不仅是技术上的较量，更是市场和地缘政治的博弈。台积电在美国亚利桑那州设厂多年，与苹果、英伟达等科技大厂关系密切。三星则希望通过泰勒工厂的本地化优势，赢回失去的客户，扩大其在美国市场的份额。
市场现状与技术对比
近期市场传闻称，三星将押注资源发展2纳米制程，预计最快明年在美国德州工厂率先导入2纳米制程，试图弯道超车台积电。然而，半导体业界透露，三星目前以GAAFET技术打造的3纳米制程，性能仅相当于竞争对手的4纳米FinFET水平，预计2纳米的性能仍难以匹敌台积电最后一代也是最强一代的3纳米FinFET。
特别是台积电针对3纳米发展了更多家族成员，包括N3X、N3C、N3A等应用，未来仍将是最主流客户的首选。目前，智能手机旗舰芯片普遍使用台积电第二代3纳米（N3E），仅有三星Exynos 2500采用自家3纳米GAAFET技术；各家厂商预计今年将迭代进入第三代3纳米（N3P）。供应链消息显示，台积电去年底N3P已进入量产阶段，预计今年整体产能将增长超过60%。
供应链方面表示，中国台湾地区厂家再生晶圆、钻石碟、特用化学品用量显著提升，相关供应链如升阳半、中砂、颂胜科技等企业表现活跃。其中，颂胜科技作为少数提供半导体CMP制程研磨垫的供应商，直接与国际大厂竞争。
展望未来
三星积极追赶，预计2纳米制程最快将于今年底量产，并计划明年第一季度在美国德州泰勒工厂导入2纳米制程。尽管看似有弯道超车台积电的潜力，但半导体业者指出，台积电严格遵守最先进制程在台湾的发展策略，海外工厂将以台湾母厂为标杆。
IC设计业者透露，在整体芯片表现上，台积电的制程仍然能够达到更佳效果。例如，同样基于Arm Cortex-X925超大核心设计的天玑9400，频率可达3.62GHz，优于Exynos 2500的3.3GHz表现，并且发布日期也领先约三个季度。这表明，三星的代工能力已经无法满足国际芯片大厂对于最先进技术的需求。
为满足客户需求，台积电亚利桑那州二厂进入了加速建设阶段，预计明年第三季度进行机台安装。未来，中国台湾地区半导体厂家台积电还将携手台湾地区供应链共同参与国际竞争，推动整个产业升级。面对激烈的市场竞争，各家企业需不断提升技术水平，优化生产工艺，才能在全球半导体行业中占据一席之地。