美光1γ制程技术突破，LPDDR5X存储器送样开启新篇章

近日，美光在其投资人与财经分析师电话会议上宣布，已开始向客户送样其首批采用全新1γ（1-gamma）制程技术生产的LPDDR5X存储器芯片。这一里程碑标志着美光正式进入极紫外光（EUV）微影技术生产DRAM的新时代，为公司及整个行业带来了显著的技术进步。
美光的1γ制程技术是其第6代10纳米级生产节点，相比前一代1β（1-beta）制程，功耗降低了20%，性能提升了15%。此外，该技术还将位元密度提高了30%，这是一项非常显著的进步。随着新DRAM芯片良率的提升，这项技术有望大幅降低生产成本。美光执行长桑贾伊·梅赫罗特拉（Sanjay Mehrotra）表示：“我们在1γ DRAM制程节点上取得了卓越的进展，其良率提升速度超越了我们在1β节点上创下的纪录。”
此次送样的LPDDR5X存储器芯片并非美光首款采用1γ制程的产品。今年早些时候，美光已经推出了更高效能和更低功耗的16Gb DDR5-9200芯片。然而，美光在本周并未提供这些DRAM芯片送样进度的最新信息。未来，美光计划将1γ制程应用于其全部存储器产品组合，包括DDR5、LPDDR5X（现在可支持高达10.7 GT/s）、GDDR7，以及针对数据中心优化的产品。桑贾伊强调：“我们将在整个DRAM产品组合中利用1γ技术，从这项领先技术中受益。”
值得一提的是，美光是最后一个采用EUV微影技术进行1γ制造的主要DRAM制造商。尽管美光尚未透露具体有多少层是通过EUV技术生产的，但预计会将EUV保留给那些若不使用EUV将需要多重图案化的最复杂层。1γ制程结合了EUV与传统的深紫外光（DUV）多重图案化，同时引入了升级的高介电常数金属栅极（high-k metal gate）和重新设计的后段制程（BEOL）电路。
目前，美光正在日本生产1γ DRAM，并已在2024年投入使用首台EUV设备。公司计划在日本和中国台湾扩大EUV产能，以满足日益增长的市场需求。随着全球对高性能计算、人工智能及5G通信等领域需求的增长，对于更先进芯片的需求也在不断增加。美光通过不断的技术创新和研发投入，确保其在全球半导体行业中保持领先地位。
总的来说，美光1γ制程的成功不仅为其自身带来了新的市场机遇，也为整个半导体行业注入了新的活力。未来，随着更多基于1γ制程的产品推向市场，美光将继续推动技术创新，助力构建更加智能化的数字社会基础设施。通过持续的研发投入和技术革新，美光正逐步实现其愿景——为客户提供最具竞争力的存储解决方案，共同迎接未来的挑战与机遇。