美光推出2600 NVMe SSD，搭载第九代QLC NAND与自适应写入技术，全面提速PC存储体验

近日，美光科技正式发布全新2600 NVMe SSD，专为OEM厂商打造。该产品首次将业界领先的第九代QLC NAND（G9 QLC NAND）与创新的自适应写入技术（Adaptive Write Technology, AWT）相结合，显著提升固态硬盘在个人电脑及终端设备中的性能表现，标志着QLC SSD迈入高性能应用的新阶段。
美光2600 NVMe SSD不仅具备QLC闪存的大容量与成本优势，更通过新技术大幅突破传统QLC在写入速度上的瓶颈。官方数据显示，其顺序写入速度相较市面上主流QLC与TLC SSD提升了约63%，随机写入速度则提升了约49%，为用户带来更为流畅的操作体验，尤其适用于AI PC、内容创作等对存储性能要求更高的应用场景。
其中，自适应写入技术是本次升级的核心亮点。该技术首次实现SLC、TLC与QLC动态缓存架构的多层级融合，有效解决QLC固有的写入延迟问题。以2TB规格为例，在连续写入高达800GB数据时，顺序写入速度可提升至原来的四倍，显著优化大型文件处理和多任务并行操作的效率。
此外，第九代QLC NAND采用六平面设计，使芯片能够同时处理更多读写指令，大幅提升并发处理能力。据美光介绍，2600 NVMe SSD的NAND I/O速度可达3.6GB/s，成为目前市场上已出货客户端SSD中传输速度最快的产品之一。
在实际应用层面，2600 NVMe SSD不仅能显著缩短系统启动时间，还加快了应用程序加载与系统响应速度。在PCMark 10测试中，其整体评分较同级主流TLC SSD最高提升了44%，带宽提升约43%，充分体现了在日常使用场景下的高效表现，特别是在人工智能PC和创意生产力工具中，高速存储能更快载入大型AI模型，进一步提升工作效率。
在产品形态上，美光2600 NVMe SSD提供22x30mm、22x42mm与22x80mm等多种尺寸选择，容量涵盖512GB至2TB，并采用单面设计，非常适合轻薄笔记本电脑、移动工作站及便携式手持设备等空间受限的应用场景。值得一提的是，2TB版本同样支持22x30mm超小封装方案，为新一代掌机和便携设备提供更多设计灵活性。
目前，该产品已开始向全球OEM厂商供货，预计将成为下一代PC及移动装置的重要存储核心。随着AI、大模型训练以及高负载计算任务的普及，美光2600 NVMe SSD的推出将进一步推动QLC技术从容量型向性能型的转变，满足未来智能设备对高速、大容量存储的双重需求。