三星 V10 NAND 量产计划曝光：明年 3 月启动建设，10 月全面投产

据韩媒 ET News 7 月 1 日报道，三星电子计划于 2026 年 3 月启动其下一代 3D NAND 闪存 —— 第十代 V-NAND（V10）的首条量产线建设，并有望在当年 10 月进入全面量产阶段。这一消息标志着三星在闪存技术领域的重大进展，将进一步巩固其在全球存储市场的领先地位。
产线建设与量产时间表
根据计划，三星将于 2026 年 3 月开始设备安装，上半年完成产线建设，并在试生产和稳定后于 10 月开始全面量产。这一时间表较此前部分市场预期略有延迟，但仍显示出三星在推进 V10 NAND 量产方面的坚定决心。
V10 NAND 技术亮点
三星电子目前最先进的 NAND 工艺为 286 层的 V9，而下代 V10 的堆叠层数将大幅提升至 400 层以上，预计达到 430 层左右。这将使 V10 成为全球最高堆叠的闪存产品，大幅提升存储密度。
为实现这一技术突破，三星在 V10 中引入了多项先进技术，包括超低温蚀刻、混合键合等。这些技术不仅有助于提高存储密度，还能提升闪存的性能和可靠性。根据三星为今年 2 月的 ISSCC 2025 会议准备的演讲，其 V10 NAND 的 TLC 版本可实现 28Gb/mm² 的存储密度，较上一代产品提升了 56%；I/O 引脚速率达到 5.6Gbps，提升了 75%。
市场影响与竞争态势
随着数据中心、人工智能、5G 等新兴技术的快速发展，全球对高性能、大容量存储的需求持续增长。三星 V10 NAND 的推出，将为这些领域提供更强大的存储解决方案，满足不断增长的数据存储和处理需求。
在竞争态势方面，闪存市场竞争激烈，各大厂商纷纷加大研发投入，推动技术升级。三星 V10 NAND 的量产，将进一步加剧市场竞争，促使其他厂商加快技术创新步伐。同时，三星的技术突破也将带动整个闪存行业的发展，推动存储技术向更高密度、更快速度、更低成本的方向迈进。
三星 V10 NAND 的量产计划展示了其在闪存技术领域的领先地位和创新实力。随着 V10 的量产，三星有望在全球存储市场中占据更大份额，为用户带来更先进、更高效的存储产品。同时，这也将为整个闪存行业注入新的发展动力，推动行业技术水平的不断提升。