三星电子芯片业务面临多重挑战，HBM战略受挫引发市场担忧

据朝鲜日报报道，近日，三星电子发布了2025年第二季度初步财报数据，引发了投资者对其在高性能存储器和先进芯片制造领域竞争力的广泛担忧。尽管公司在高带宽内存（HBM）和代工服务方面持续加大投入，但其表现却明显落后于SK海力士和美光等主要竞争对手，尤其是在人工智能驱动的高端存储市场中逐渐失去优势。
根据财报数据显示，三星第二季度销售额为74万亿韩元，营业利润为4.6万亿韩元，分别同比下降0.1%和55.9%。这一结果不仅低于市场预期，也反映出公司在关键业务板块上所面临的压力正在加剧。
分析指出，此次业绩不佳的主要原因之一是HBM产品的推进不顺。三星曾将第五代HBM3E视为扭转颓势的关键一战，并为此投入大量资源扩大产能和资本支出。然而，英伟达对三星12层HBM3E的认证迟迟未能通过，导致产品库存积压、成本上升，进一步拖累整体盈利能力。
据Meritz证券分析师金善宇表示：“尽管智能手机业务表现稳健，但内存部门的HBM出货量下降以及后续的成本负担显著影响了收益。”他预计，半导体部门的营业利润可能仅达到4000亿韩元左右，远低于预期。HBM出货量估计仅为5亿至6亿吉比特，远未达到既定目标。
此外，在HBM市场的竞争格局中，三星已明显处于下风。韩国投资与证券的分析师蔡敏淑指出，三星对英伟达的HBM认证已被推迟至第三季度末，而SK海力士和美光则已开始进行HBM4的认证测试，技术节奏明显领先。“在这个以速度决定主导权的赛道上，排在第三名并不是一个理想的位置。”
不仅是HBM业务，三星的NAND闪存业务也在第二季度陷入亏损。虽然公司大幅削减产量，但仍未能扭转局面。据估算，NAND业务亏损超过3000亿韩元。当前，三星仍高度依赖商品化程度较高的NAND细分市场，而这些领域的需求尚未恢复。相比之下，竞争对手纷纷转向企业级SSD等更高附加值的产品线，而三星在这方面的转型进展缓慢。
与此同时，三星的代工业务同样面临严峻挑战。系统LSI和代工部门的亏损进一步扩大，Meritz证券估算该部分总亏损高达2.3万亿韩元，而DS Investment Securities则认为仅代工部分就亏损超过2.1万亿韩元。尽管获得了一些遗留项目订单，如任天堂即将推出的Switch 2平台，但在吸引3nm和5nm先进制程客户方面，三星依然缺乏亮点。
在先进制程方面，台积电已在2nm工艺上实现约60%的良率水平，而三星目前的2nm良率仅为30%-40%，差距明显。业内人士指出，随着三星计划在今年晚些时候提高2nm产品的量产规模，良率不稳定和技术执行风险可能成为新的隐患。
此外，DRAM作为三星最大的收入来源之一，也开始面临价格下行压力。DS Investment Securities分析师李素琳预测，第四季度可能出现调整期，“由关税预期带来的提前下单效应消退后，DDR4需求或将回落，而DDR5的价格溢价空间也在缩小。”
为了重振存储器业务，三星正寄希望于第六代10纳米级DRAM和下一代HBM系列产品的推出。不过，业内观察人士普遍认为，这将是一个充满挑战的过程。“虽然基于1c工艺的DRAM开发已经完成，但良率和质量仍是未知数，”兴国证券分析师孙仁俊表示，“只有到第三季度，我们才能真正评估三星是否能将技术转化为有竞争力的市场份额。”
面对HBM和代工领域的双重困境，三星正处于战略调整的关键节点。一位芯片行业资深高管坦言：“自进入HBM3E市场以来，三星在市场份额和交付能力上都明显落后于SK海力士和美光。英伟达的认证延迟暴露了其技术落后的现实——今年内追上的可能性不大。”
总体来看，三星电子在多个核心业务领域遭遇瓶颈，未来的发展路径需要更加清晰的战略布局和执行力提升。在全球AI芯片和存储器市场需求持续增长的背景下，如何加快技术创新、优化产品结构、提升客户服务体验，将成为三星能否重返行业领先地位的关键所在。