台积电退出氮化镓市场背后的深层原因

近日，有外媒报道指出，全球第三类半导体产业正经历前所未有的动荡期，尤其是在美国、中国及中国台湾地区之间的竞争态势发生了显著变化。作为全球碳化硅（SiC）领导者的美国Wolfspeed公司正面临申请破产重整的困境，与此同时，中国台湾的晶圆代工巨头台积电也宣布将解散其氮化镓（GaN）研发团队。这一决策的背后，是中国近年来在第三类半导体领域的大力投入，导致市场竞争异常激烈。特别是中国的氮化镓龙头企业英诺赛科，其报价几乎低于台积电的生产成本，迫使台积电不得不战略性地撤出GaN市场，并转向其他高附加值领域。
值得注意的是，虽然第三类半导体材料如碳化硅和氮化镓正在迅速崛起，但它们并不会完全取代传统的第一类和第二类半导体材料。相反，这三类半导体将在未来的市场中各自发挥优势，形成互补共存的局面。第一类半导体材料，如硅（Si）和锗（Ge），因其广泛应用而主要应用于逻辑芯片；第二类半导体材料，例如砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP），则擅长处理高频信号，广泛用于智能手机功率放大器和光纤通信；而第三类半导体材料，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），由于其优异的耐高压、高频通信和高温工作能力，被广泛应用于电动车、5G基站、卫星通信和风力发电等高端领域，展现出巨大的市场潜力。
Wolfspeed的破产重整事件引起了全球的关注。该公司希望通过破产重整来大幅削减债务并重建资本结构。然而，除了电动汽车市场需求放缓外，原本期待的高额补贴因未能达到条件而延迟发放，导致其财务状况进一步恶化。此外，随着中国厂商如天科合达等的快速崛起，市场竞争愈发激烈，SiC价格下降，给Wolfside带来了更大的运营压力，最终促使其采取了主动重整策略。这对全球SiC供应链产生了重大影响，例如日本瑞萨电子（Renesas Electronics）预计将遭受约新台币509亿元的巨大损失，全球SiC供应稳定性也因此受到考验。
另一方面，中国的氮化镓领军企业英诺赛科凭借惊人的成本竞争力，正在改变全球市场的游戏规则。通过多年来自建8英寸硅基氮化镓平台并采用垂直整合模式，英诺赛科大幅降低了生产成本，使得产品报价远低于竞争对手，迫使包括台积电和英飞凌在内的国际大厂重新评估自身的战略方向。这种低价策略不仅让中国GaN产品进入了全球电动车、消费电子乃至国防工业领域，还可能通过与欧洲、东南亚企业的合作，扩大其国际市场影响力，从而重塑全球氮化镓市场的版图。
氮化镓的技术价值已经超越了商业范畴，成为中美科技竞争的关键材料之一。相比传统砷化镓，氮化镓具有更高的功率、频率和耐高温性能，适用于军用雷达、卫星通信和6G技术等领域。目前中国构建了一条完整的军民两用产业链，氮化镓也在卫星、无人机等军事得到应用，并建立了严格的出口管制和技术控制措施，并不断推动技术突破。如果美国无法在材料、制程和供应链整合方面重获领先地位，未来可能在全球通讯技术和军事应用中失去主导地位。