SK海力士韩国国内DRAM产能大幅提升，中国无锡工厂份额逐步下降

据朝鲜日版报道，SK海力士位于京畿道利川市的M16工厂自去年以来持续扩大投资，预计今年下半年将创下最高产能纪录。这一水平预计将与SK海力士最大的DRAM生产基地——中国无锡工厂的季度晶圆产量57万片（平均每月约19万片）相匹配。此外，从明年开始，随着M15X工厂全面投产，无锡工厂的产量份额预计将降至30%左右，而韩国国内生产比例将显著提高。
据业内人士透露，SK海力士利川M16工厂的产能有望在今年达到最高水平，并赶上无锡工厂的生产量。截至今年第三季度，M16月均硅片投入量约为17万片，较去年同期的10万片增长约70%。与去年第一季度相比，产能提高了2至3倍。
据了解，SK海力士已于去年下半年从主要设备制造商处订购了用于M16扩建投资的关键设备，包括用于各种电子设备的高带宽存储器（HBM）DRAM和通用DRAM设备。从去年第四季度开始，M16正式引入这些设备，并从今年年初起，扩产准备工作一直在进行中。
因此，M16工厂已成为与中国无锡工厂一起成为DRAM生产的关键支柱，取代了SK海力士在韩国最大的DRAM生产基地M14工厂。直到去年，M14的DRAM产量是M16的两倍多，但从今年第三季度开始，产量出现了逆转。目前，韩国国内DRAM产量已达约100万片晶圆，超过了DRAM总产量（约150万片）的三分之二。
行业分析师预计，无锡工厂在DRAM生产中的份额将逐渐下降。尽管直到去年，无锡工厂仍占SK海力士DRAM总产量的最大份额，但美国政府对10纳米级DRAM设备进口的规定可能会阻碍其进一步发展。此外，为了提高HBM DRAM的产量，SK海力士一直在努力扩大利川工厂的产能。
特别是，如果美国对设备进口的限制长期持续，设备更换和维修的延迟可能会导致SK海力士下一代通用DRAM生产的受挫。如果特朗普政府拒绝授予“经过验证的最终用户”（VEU）批准，那么依赖美国设备的SK海力士无锡工厂的运营可能会面临挑战。
一位熟悉SK海力士的消息人士表示：“无锡工厂的月平均DRAM产量最近停滞在16万至17万片晶圆左右。”并指出，在下一代DRAM工艺中使用极紫外（EUV）光刻设备的层数正在增加，但由于美国对向中国进口EUV设备的控制，导致DRAM生产过程效率低下。
与此同时，SK海力士也在加快M15X工厂的运营。M15X工厂预计将于11月左右完工，并预计届时将进行设备订单。行业分析师预计，试生产将于明年初开始，一些小规模生产将于第二季度开始。预计M15X将在2027年左右达到其最大产能。
通过在国内提升产能，SK海力士不仅能够应对国际市场的不确定性，还能更好地满足全球客户对高性能存储器的需求。随着技术进步和市场需求的变化，SK海力士将继续优化其生产能力，以保持在全球半导体行业的领先地位。未来，随着更多先进制程技术的应用，SK海力士将进一步推动全球半导体产业的发展。