三星电子加速推进3D DRAM技术，FinFET工艺助力存储器革新

在全球存储器产业迈向3D化转型的关键节点，三星电子正通过技术创新突破传统DRAM的物理限制。随着10纳米以下制程面临技术瓶颈，三星宣布将FinFET晶体管结构引入DRAM量产，为下一代存储器架构奠定基础。这一变革不仅将提升芯片性能与能效，也为人工智能、高性能计算等新兴领域提供更强的数据处理能力。  
FinFET技术原本广泛应用于逻辑芯片生产，其核心优势在于通过三维结构扩大栅极与沟道的接触面积，从而减少漏电流并提升性能。三星计划将该技术应用于DRAM外围与核心芯片的制造，而存储单元则采用垂直沟道晶体管（VCT）或埋入沟道阵列晶体管（BCAT）。这一架构调整将显著提高DRAM的集成度，目前LPDDR5X等产品的存储单元阵列效率已达到50%。  
三星并非唯一推动3D DRAM研发的厂商。SK海力士近期也透露出布局FinFET工艺的迹象，其招聘信息显示，公司正在招募具备FinFET器件开发、蚀刻及沉积等经验的专业人才。业界预测，FinFET技术最早将于2027年应用于DRAM量产，届时存储器性能与成本控制将实现双重优化。  
在3D DRAM领域，三星的研发路线尤为激进。公司通过堆叠单元技术突破传统平面设计的限制，并尝试引入三面接触的FinFET与四面接触的GAA（Gate-All-Around）技术。这种多层堆叠方案不仅增加了栅极与通道的接触面积，还能更精准地控制电流流动，从而提升存储器的稳定性与速度。此外，三星还在探索阶梯式连接结构与新型材料，以解决散热管理与信号完整性等技术难题。  
值得关注的是，3D DRAM的商业化仍需克服物理极限与成本挑战。目前，三星、美光、SK海力士等厂商均在加速专利布局与技术验证。例如，美光已提交多项3D DRAM专利，侧重晶体管与电容器形态创新；而三星则通过垂直堆叠与水平电容器方案探索不同路径。尽管短期内全面普及尚需时日，但2026年后概念验证产品的面世将为存储产业的3D化转型提供实质性推动力。  
在HBM（高带宽存储器）领域，三星的HBM3E已实现1.2TB/s的带宽，但其本质仍属2.5D封装。随着3D DRAM技术成熟，HBM性能有望迎来质的飞跃。与此同时，中国台湾地区工研院与旺宏电子合作开发的IGZO双晶体管架构、泛林集团提出的水平电容器方案等创新路径，也为存储器行业提供了多元化的技术选择。  
当前，3D DRAM已成为全球半导体巨头竞相争夺的战略高地。三星凭借在堆叠技术、材料创新与量产能力上的积累，率先迈入3D时代。未来，随着FinFET工艺的落地与3D DRAM的规模化生产，存储器市场将迎来新一轮技术革命，为人工智能、数据中心及智能终端等场景提供更高效、更低成本的解决方案。