长江存储引领全国产化生产线，2026年目标全球市占率突破15%

近年来，中国加速推进半导体设备自主化进程。据海外媒体报道，长江存储在推动“全国产化”NAND闪存制造设备方面取得了重大突破。这一进展标志着中国在实现半导体设备去美化进程中迈出了重要一步。
据悉，首条全国产化的生产线计划于2025年下半年开始试产。尽管产线良率仍有待进一步观察，但随着半导体设备限制的解除，长江存储预计到2026年底，其全年位元产出将实现双倍增长，全球市占率有望突破15%大关。
当前，各大NAND闪存厂商正面临供给过剩导致的价格冲击问题。根据市场估计，2025年市场需求位元的年增长率约为10%-15%。因此，国际NAND原厂自年初起便通过减产和缩减资本支出来降低供应位元的增长速度，以减轻供需失衡并确保盈利能力。
长江存储此次取得的重大突破不仅体现了中国在半导体领域的自主研发能力，也为国内存储器产业的发展注入了新的活力。随着国产化生产线的逐步落地，长江存储将进一步提升自身在全球市场的竞争力，并为中国半导体行业的长远发展奠定坚实基础。
值得注意的是，长江存储的这一成就离不开政府的支持与产业链上下游企业的共同努力。通过加强技术研发投入、优化供应链管理以及深化国际合作，长江存储正在逐步缩小与国际领先厂商之间的差距。
展望未来，随着全球数字化转型步伐的加快，对高性能存储器的需求将持续增长。长江存储将继续致力于技术创新与品质提升，为客户提供更加优质的产品和服务。同时，公司也将积极拓展国内外市场，助力中国在全球半导体行业中占据更重要的位置。
总之，长江存储在推进全国产化生产线方面的成功实践，不仅展示了中国在半导体领域不断增强的实力，也为其他中国企业提供了宝贵的经验借鉴。我们期待看到更多像长江存储这样的企业在自主创新道路上不断前行，共同推动中国科技产业迈向新的高度。