SK海力士发布24Gb GDDR7与HBM4存储器模组，全面布局AI与高性能计算市场

全球领先的存储芯片制造商SK海力士近日在最新财报说明会上正式宣布，公司正在积极研发新一代24Gb GDDR7显存与HBM4高带宽存储器模组，标志着其在高性能图形处理与人工智能领域迈出了关键一步。
根据官方披露的信息，SK海力士的24Gb GDDR7存储芯片相比当前主流的GDDR6X（16Gb），容量提升了50%。这一升级将显著提高显卡的显存密度，为下一代图形处理和AI推理任务提供更强的硬件支撑。据悉，首批GDDR7模组将在年内送样给主要GPU厂商，并有望用于英伟达即将推出的RTX 50 SUPER系列显卡中。
在性能方面，GDDR7的传输速率预计将从GDDR6X的21Gbps提升至28～42.5Gbps，部分旗舰型号甚至可能突破40Gbps。以搭载12颗GDDR7模组为例，系统总带宽可达1728GB/s，大幅提升图形处理和AI模型训练的效率。此外，GDDR7还优化了功耗表现，进一步提升能效比，为高负载场景下的稳定运行提供保障。
除了GDDR7，SK海力士也在同步推进HBM4的研发与量产准备。HBM4将主要面向高性能计算（HPC）和人工智能推理平台，预计搭载于英伟达下一代Rubin架构GPU以及AMD Instinct MI400系列等高端计算芯片中。目前已有小批量样品提供给OEM客户进行验证，技术成熟度正在快速提升。
HBM4与GDDR7形成双轨并进的产品布局，不仅强化了SK海力士在游戏显卡市场的竞争力，也进一步巩固其在AI与数据中心存储器领域的技术优势。随着大模型训练、图像生成、生成式人工智能等应用对显存容量与带宽需求的持续增长，高频宽存储器已成为决定系统性能的关键组件。
当前，全球存储器市场正迎来新一轮技术升级周期。三星已推出基于GAA架构的3nm芯片制造工艺，阿斯麦（ASML）持续推动EUV光刻设备的技术突破，台积电和英特尔也在加快先进封装和AI芯片的研发进度。SK海力士此次发布GDDR7与HBM4模组，不仅展现了其在存储器技术上的领先实力，也为全球AI算力平台提供了更高效、更稳定的底层支持。
对于中国存储产业链而言，SK海力士的技术进展也带来重要启示。在AI芯片和高性能计算快速发展的背景下，存储器作为数据吞吐的关键环节，其性能直接影响整体系统表现。国内存储芯片厂商正加快在GDDR、HBM以及先进封装领域的技术布局，未来有望在国产替代和全球供应链中占据更有利的位置。
总的来看，SK海力士此次发布24Gb GDDR7与HBM4模组，不仅是其在高端存储领域的一次重要突破，更是全球AI芯片与高性能计算平台迈向更高性能的关键一步。随着AI应用场景的不断扩展，存储器技术创新将成为推动整个产业进步的重要引擎。