铠侠年内量产第9代3D闪存，性能大幅提升

日本NAND闪存大厂铠侠近日宣布，将在本财年内开始量产其最新的“第9代”3D闪存，并已启动样品出货。这一消息标志着铠侠在存储技术领域的持续进步和对未来市场的积极布局。
铠侠上周五（2025年7月25日）宣布，采用第9代BiCS FLASH 3D闪存技术的512Gb TLC产品已经开始向客户送样。预计该产品将在2026年3月底之前进入大规模生产阶段。此次发布的第9代BiCS FLASH不仅继承了第5代技术中120层堆叠工艺的优点，还结合了最新的CMOS技术，使得与2022年开始生产的第6代产品相比，在写入性能上提高了61%，读取性能提升了12%，同时功耗显著降低，写入时减少了36%，读取时降低了27%。
据日本媒体报道，这款次世代闪存产品将在铠侠四日市工厂生产，并有望应用于智能手机等高端设备中。这不仅展示了铠侠在技术创新上的领先地位，也为未来智能设备提供了更高效、更节能的存储解决方案。
此外，铠侠于6月5日公布了其未来五年的中长期运营计划，目标是在截至2029财年的五年内将产能提升至2024财年的两倍。为了实现这一目标，铠侠计划在日本的两大主要生产基地——四日市工厂和北上工厂——扩建生产线，以增加面向人工智能数据中心的NAND闪存产量。其中，北上工厂的“第2厂房(K2)”将于今年9月正式投产，专门用于生产最先进的第8代NAND闪存“BiCS8”。铠侠计划逐步提高“BiCS8”的生产比例，力争到2026年3月使其成为公司营收的主要来源之一。
面对全球半导体市场日益增长的需求，尤其是来自AI、数据中心及高端智能手机领域的需求，铠侠通过不断的技术创新和产能扩张，正努力巩固其在全球NAND闪存市场的领导地位。