Sandisk高频宽闪存技术HBF迎来GPU传奇架构师Raja Koduri加盟

近日，西部数据（Western Digital）旗下的SanDisk宣布了一项重大技术进展——高频宽闪存技术（High Bandwidth Flash Memory, HBF）。这项新技术旨在突破当前高带宽存储器（HBM）在容量上的限制，通过使用NAND闪存技术实现更高的存储密度。与此同时，SanDisk还宣布成立了HBF技术顾问委员会，并邀请了GPU界传奇人物Raja Koduri担任技术顾问。
HBF：革命性的存储解决方案
2025年2月，SanDisk在其投资者日活动中首次介绍了HBF技术。这种新型存储器有望解决现有HBM内存容量不足的问题。通过使用与192GB HBM相同的颗粒数量，HBF能够实现高达4TB的存储容量，同时保持性能和容量之间的平衡。这为数据中心、人工智能加速计算等领域带来了新的可能性。
HBF的概念类似于多年前AMD尝试过的SSG（Solid State Graphics）技术，即利用单位容量较高的NAND闪存替代DRAM作为图形显存。然而，由于当时NAND的性能远逊于DRAM，这一尝试并未取得成功。而今，随着NAND技术的进步，特别是3D NAND堆叠技术和TSV硅穿孔技术的应用，HBF能够在提供接近HBM带宽的同时，显著提升存储容量。
技术创新背后的支持者
SanDisk计划利用其专利的BiCS 3D NAND技术和CBA晶圆链合技术来实现低弯曲率的16层NAND堆叠。根据目前的技术概述，HBF借鉴了HBM将DRAM垂直堆叠的概念，但采用的是NAND闪存。通过最多16层的NAND垂直堆叠，并使用TSV技术连接，再经由中介层基板直接与GPU相连，HBF目标是提供与HBM相当的带宽，同时以相同成本使单位容量提升8至16倍，理论上可实现高达4TB的虚拟显存（VRAM）。
Raja Koduri在其个人推特中提到，HBM的重点在于提高每瓦特和每平方毫米面积的带宽，而HBF则专注于提升每瓦特和每平方毫米面积的存储容量。两者虽然侧重点不同，但在概念上存在根本区别。
HBF与HBM的关系及应用前景
尽管HBF展示了巨大的潜力，但SanDisk并未将其视为HBM的直接替代品。由于NAND闪存的延迟明显高于DRAM，因此在某些应用场景下，HBF更适合充当HBM之外的额外存储层。特别是在AI推理负载、大型AI模型开发等需要顺序读取大量数据的应用场景中，更大的存储容量可以发挥显著优势。
除了Raja Koduri外，SanDisk还聘请了加州大学伯克利分校荣誉教授、谷歌杰出工程师David Patterson加入顾问团队。Patterson是RISC架构和RAID技术的共同发明人，并荣获图灵奖，他的加入无疑为HBF技术的研发注入了强大的技术支持。
随着人工智能、大数据分析等领域的快速发展，对高性能存储器的需求日益增长。SanDisk推出的HBF技术及其顾问委员会的成立，标志着存储技术领域的一次重要突破。