三星电子向客户运送HBM4样品 扩大对DRAM设施的投资

三星电子发力HBM与代工 重塑半导体竞争力
三星电子向客户运送HBM4样品 扩大对DRAM设施的投资
在2025年第二季度财报电话会上，三星电子宣布已完成基于第六代10纳米（1c）工艺的第六代高带宽存储器（HBM4）的开发，并已向主要客户出货样品。公司表示，这款HBM4产品采用了先进的逻辑工艺应用于基础芯片，在性能和能效方面相较上一代HBM3e均有显著提升。为应对2026年HBM4需求的增长，三星将加大在1c工艺产线的投资力度，确保产能供给。此外，在下一代堆叠技术——混合键合（Hybrid Bonding）方面，三星正与多家有意量产的主要客户展开技术讨论，客户兴趣日益浓厚，预示着未来在先进封装领域的深入布局。
三星电子获得大型代工合同 重振半导体前景
尽管三星电子2025年第二季度营业利润同比下滑55.23%至4.6761万亿韩元，主要受HBM业务未达预期及代工部门亏损拖累，但公司已展现出复苏迹象。近期，三星宣布与特斯拉签署价值约22.8万亿韩元的长期代工合同，将在其位于美国德克萨斯州泰勒的晶圆厂，利用2纳米制程工艺量产特斯拉的下一代AI芯片。这一订单不仅为代工部门带来实质性支撑，更被视为三星在先进制程领域赢得关键客户的“信号”。特斯拉CEO埃隆·马斯克透露，该订单金额可能远超当前披露规模，暗示追加订单的可能性。尽管短期内难以扭转盈利，但此举有望提升三星代工在高端市场的声誉与客户信任，成为吸引更多大客户订单的重要跳板。三星表示，已顺利完成第一代2纳米工艺的可靠性评估，量产准备顺利，泰勒工厂预计于2026年全面投入运营。
三星电子HBM3E收入份额扩大 HBM4研发进展顺利
为扭转HBM业务的不利局面，三星正全力推进技术突破与市场拓展。此前，由于其HBM3E产品未能通过英伟达的质量验证，导致市场份额落后于SK海力士。然而，近期形势出现转机。三星透露，HBM3E在整体HBM出货量中的份额已提升至约80%，并预计下半年将攀升至90%的高位，随着各客户完成量产认证，需求趋于稳定，将显著改善部门盈利能力。与此同时，HBM4的研发进展顺利，样品已送至客户，采用领先一代的1c DRAM工艺，在性能上具备竞争优势。机构分析指出，三星1c DRAM的良率已有显著改善，HBM4的测试结果也优于预期，后段封装良率同样提升，表明此前困扰公司的技术瓶颈正在逐步解决。通过HBM3E的放量和HBM4的提前布局，三星正加速重建其在高端存储器市场的竞争力。