中国曝光机研发进展与全球差距

根据高盛的最新报告，中国在半导体制造关键环节——曝光技术的研发上，至少落后国际同业20年的时间。这项技术不仅是半导体制造的重要环节，更是阻碍中国生产高端芯片的唯一瓶颈。
荷兰阿斯麦（ASML）公司制造的先进曝光机，特别是其极紫外光（EUV）及高数值孔径EUV曝光机，能够在硅晶圆上构建出极小的电路图案，从而大幅提升芯片性能。然而，这些尖端设备的供应成了中国的痛点。由于ASML的曝光机仍高度依赖美国原产的零组件，美国政府得以利用此影响力，限制其向中国销售。这项禁令对中国科技产业造成了深远影响。
例如，中国科技大厂遭美国政府制裁，无法从台积电获取芯片，被迫转向国内的中芯国际寻求支援。然而，中芯国际同样面临采购EUV芯片制造曝光机的限制，这意味着中国企业目前在芯片制造上最高只能达到7纳米水准。
即便中芯国际能生产出7纳米制程的芯片，但这些芯片极有可能还是通过ASML较旧的深紫外光（DUV）曝光机来生产制造。因为中国本身尚不具备制造先进曝光机的能力，这些设备的核心零组件主要来自全球，尤其是美国和欧洲。
高盛的分析明确指出，曝光技术在晶圆上达成精细电路建构的关键作用，使其成为芯片制造流程中的决定性瓶颈。目前，全球领先的芯片制造商如中国台湾半导体厂台积电，已能大规模生产3纳米芯片，并正积极准备进军2纳米技术。反观中国国内的曝光设备制造商，其技术水平仍停留在相对陈旧的65纳米制程。
高盛的报告还引用数据强调，荷兰ASML为了从65纳米技术跃升至低于3纳米的曝光能力，历经了二十年的时间，并投入了高达400亿美元的研发与资本支出。综合考量中国当前技术水平与所需庞大投入，以及全球供应链的复杂依赖性，该机构悲观地预测，中国企业在短期内赶上西方先进技术的可能性“微乎其微”。
这无疑为中国在高端芯片领域达成自给自足的愿望设下了巨大的障碍。尽管如此，中国企业并未放弃追赶的努力。近年来，中国加大了对半导体行业的投资力度，旨在通过自主创新和技术引进相结合的方式，逐步缩小与国际领先水平的差距。然而，要实现这一目标，不仅需要大量的资金和时间投入，还需要克服技术和供应链上的重重挑战。未来几年将是关键时期，中国能否在这一领域取得突破性进展，值得持续关注。