中国两大存储公司联手进军HBM存储器市场

据海外媒体报道，中国大陆正在加速发展人工智能领域，并持续推进国产化HBM（高带宽存储器）技术。最新消息显示，CJ存储正积极准备进入DRAM存储器领域，并寻求与CX存储合作，共同攻克HBM存储器技术难关。
据综合报道，CX存储在DRAM存储器技术方面拥有坚实的基础，而CJ存储则以其领先的Xtacing晶栈工艺闻名。这种工艺理论上也可以应用于存储器的键合与封装，特别是在HBM技术不断迭代的情况下，混合封装成为提升频宽和改进散热的关键所在。
报告显示，CX存储在HBM2技术上取得了重大突破，已经向客户送样，并预计在2026年年中实现小规模量产。此外，CX存储还在积极推进HBM3技术的研发，预计最快在2026至2027年间取得进展，甚至有望同步实现HBM3E的技术突破。
另有报道称，中国大陆厂商正在联合起来推动HBM技术的发展。例如，CJ存储与武汉新芯正在开发封装技术，通富微电子则在组装环节贡献力量。尽管相比SK海力士、三星和美光等国际大厂，中国大陆的HBM技术仍存在一定差距，但其追赶速度非常快。
随着人工智能应用对高性能存储器需求的不断增加，HBM存储器因其高带宽和低延迟特性成为了关键组件。CJ存储和CX存储的合作将有助于加快国产HBM存储器的研发和生产进度，进一步缩小与国际领先水平的差距。
此次合作不仅展示了中国半导体企业在技术创新方面的决心，也为整个行业注入了新的活力。通过整合双方的技术优势，CJ存储和CX存储有望在未来几年内推出具有竞争力的HBM存储器产品，满足国内市场需求并逐步走向国际市场。这不仅将提升中国在全球半导体产业链中的地位，也将为人工智能、数据中心等领域提供更强大的技术支持。