全球存储器技术升级：HBM、3D DRAM与定制化成为新趋势

在全球AI、高性能计算和边缘计算需求的推动下，高频宽存储器（HBM）、3D DRAM以及定制化存储器三大技术路线，正逐渐成为未来几年产业发展的焦点。中国台湾地区半导体厂南亚科计划在今年底完成其定制化产品的验证，而华邦电则将CUBE产品瞄准海外市场。
随着AI服务器和大型语言模型对存储器带宽的需求激增，HBM通过堆叠设计显著提升了传输速度和能效。据国际研究机构Yole预测，全球HBM市场规模将从2024年的170亿美元增长到2030年的980亿美元，年复合增长率高达33%。
SK海力士已开始提供HBM4样品，并计划于今年下半年投入量产；三星预计在年底开始量产HBM4；美光则计划明年推出同类产品。从明年起，HBM4/4e将逐步采用晶圆对晶圆键合技术，至2028年，HBM5将成为市场主流。
与此同时，3D DRAM作为新一代高密度架构，在平面DRAM制程接近物理极限时，引领了向立体结构的转变。三星正在开发VCT（垂直通道晶体管）DRAM，外界预计最快2-3年内可见成品；SK海力士展示了五层堆叠原型，良率达到56.1%，并研究IGZO材料以改善功耗和刷新特性；美光也积累了超过30项3D DRAM专利。
此外，客制化存储器加速了端侧AI的应用落地。华邦电的CUBE产品以其高频宽、低功耗和散热优化等特点，首次针对海外穿戴设备及轻量AI眼镜等市场。南亚科的客制化DRAM整合了高密度、3D IC和高频宽架构，目标是在今年底完成验证并在明年实现量产，应用于AI服务器、AI PC/手机、机器人及车载系统。
中国大陆厂商兆易创新旗下的青耘科技，从容量、带宽、能耗等多个维度提供解决方案，已在AI手机、AI PC、车用和机器人等领域取得了良好的客户拓展成果。这一系列技术进步预示着存储器行业即将迎来的新篇章。