CJ存储计划扩产DRAM芯片并开发HBM封装技术

中国大陆闪存（NAND Flash）大厂CJ存储据传计划生产动态随机存取存储器（DRAM），包括用于人工智能芯片的高频宽存储器（HBM）。路透社引用消息人士报道，CJ存储正在开发先进的芯片封装技术——硅穿孔（TSV），该技术可以堆叠DRAM以生产HBM。此举表明，在美国去年12月扩大对中国获取HBM的限制后，中国迫切希望提升先进芯片的生产能力。
HBM是通过先进封装技术将DRAM堆叠而成的高性能存储器。另一家中国企业CX存储也已投入发展HBM。业界消息人士和分析师指出，对于中国庞大的AI芯片产业而言，美方的限制使得获取HBM变得更加紧迫。华为、字节跳动等公司都在积极开发自家的AI芯片。
CJ存储正在武汉建设新厂，并考虑将部分厂房用于生产DRAM。公司在9月初成立了新的实体公司，旨在在武汉设立第三座芯片工厂。根据摩根士丹利的研究报告，CJ存储在武汉现有的两座工厂主要生产NAND，截至去年底，每月产能为16万片12英寸晶圆，预计今年将再增加6.5万片晶圆的产量。
全球目前主要由三家公司生产HBM：美光、韩国SK海力士以及韩国三星电子。
随着全球对高性能存储器需求的不断增长，特别是AI领域的应用需求，CJ存储此次进军DRAM市场的举措显得尤为重要。HBM作为新一代存储解决方案，因其卓越的数据传输速度和低延迟特性，受到越来越多企业的青睐。
面对国际市场的激烈竞争和技术封锁，CJ存储加大了对新技术的研发投入，力求在国内半导体产业链中占据更重要的位置。未来，随着更多国产企业的加入和技术突破，相信中国在全球半导体市场中的影响力将进一步增强。
CJ存储此次扩产及新技术开发的计划，不仅有助于提升国内半导体行业的技术水平，也为未来的市场拓展奠定了坚实基础。这一战略布局体现了中国半导体产业加速追赶国际先进水平的决心与努力，为其在全球半导体市场中赢得一席之地注入了新的动力。