铠侠与闪迪日本北上Fab2工厂投入运营，预计2026年上半年量产

近日，铠侠和闪迪宣布其位于日本岩手县北上工厂的先进半导体制造工厂——Fab2（K2）正式投入运营。
Fab2能够生产第八代218层3D闪存，采用革命性的CBA（CMOS直接键合阵列）技术，并支持未来先进的3D闪存节点，以满足人工智能驱动的存储市场需求。产能将逐步提升，预计2026年上半年实现量产。
该工厂采用减震建筑结构和最先进的节能设备，利用人工智能提高生产效率，并扩大洁净室中的制造设备空间。部分投资将由日本政府补贴。
铠侠岩手株式会社总裁兼首席执行官柴山耕一郎表示：“Fab2生产的第八代及后续3D闪存产品将为快速崛起的人工智能市场创造新的价值。”
铠侠与闪迪已建立超过20年的合作伙伴关系。2023年底，双方推出全球首款332层BiCS 3D NAND，单层密度达36.4Gb/mm²，接口速率突破4.8Gb/s。2025年2月，双方发布了新一代4.8Gb/s NAND接口技术，面向企业级SSD和高性能计算市场。
2025年7月，铠侠与闪迪开始向合作伙伴提供BiCS9样品，采用112层BiCS5与现代CBA结合的混合架构，并配备Toggle 6.0接口，实现更高的读写速度与成本效益。