美光推出192GB SOCAMM2模组，低功耗DRAM助力AI服务器市场

美光科技近日宣布，已向客户送样其最新的192GB SOCAMM2（小型压缩附加存储器模组），该模组是基于此前发布的LPDDR5X SOCAMM设计的功能强化版。在保持相同尺寸规格的前提下，新模组的容量提升了50%。这一突破性进展旨在满足AI数据中心对高性能、低功耗存储器的需求。
容量与能效双重提升
这款192GB SOCAMM2采用了美光最先进的1γ (1-gamma) DRAM制程技术，实现了超过20%的能源效率提升。其传输速度达到了9.6 Gbps，显著提高了数据处理能力。此外，在生成式AI应用中，首个Token生成时间（TTFT）能够大幅缩减超过80%，极大地优化了实时推论工作负载的性能。
模组化设计提高系统灵活性
SOCAMM2采用模块化设计，使得全机柜式的AI部署环境可以配置超过40TB的CPU直连低功耗DRAM主存储器。这不仅提升了系统的性能和节能表现，还为未来的容量扩展提供了可靠的基础。相比同等级的RDIMM，SOCAMM2的能源效率提升了三分之二，体积却仅为三分之一，有效提升了数据中心的空间利用率。
适应未来需求的设计
美光资深副总裁兼云端存储事业部总经理Raj Narasimhan表示：“随着AI工作负载日益复杂且需求更加严苛，数据中心服务器必须提高效率，在每瓦功耗下产出更多token。美光确保SOCAMM2模组具备卓越的数据传输量、能源效率和大容量，同时保有数据中心所需的顶尖品质。”
合作推动创新
美光与英伟达合作开发的基于LPDDR低功耗存储器的SOCAMM模组，专为应对数据中心服务器的独特设计需求而生。长条状的模组设计使得AI系统能够在导入大容量、高性能和低功耗的LPDDR5X DRAM的同时，保持系统的可维护性和升级能力。
通过高达192GB的SOCAMM2模组，全机柜AI部署环境中可配置超过40TB的CPU直连低功耗DRAM主存储器，进一步展示了美光1-gamma制程DRAM的能耗效能比优势。同时，这种模组化设计也有助于液冷服务器的设计，提升数据中心的整体能效。
此次送样的192GB SOCAMM2模组标志着美光在存储技术领域的又一重要突破，为未来的AI服务器市场提供了强大的支持。随着后续量产计划逐步推进，这款产品有望成为数据中心提升效率和性能的关键组件。