国产高频宽存储器或在2026年量产，助力AI核心存储赛道

据传国内某存储芯片厂已向国内客户交付了基于16纳米制程的HBM3（第四代高频宽存储器）样品，并计划于2026年实现全面量产。尽管在良率和成本竞争力方面仍有提升空间，但产品良率表现已接近三星电子的水平。
据媒体报道，该存储器厂家在2024年成功量产DDR5 DRAM后，通过光罩修改优化解决了初期宽温及散热问题。到2025年下半年，DDR5产品的平均良率已突破80%，接近市场主流规格标准。该DDR5产品跳过17纳米节点直接采用16纳米工艺，性能可对标三星K4X8G325EB，频宽达6400Mbps。
为突破产能瓶颈，该存储器厂家采取了“核心技术自研+基础产能代工”的创新策略，通过合作转移基础芯片生产，大幅释放内部DRAM产能。根据机构预测，2025年总产能将从每月23万片提升至28万片，2026年将进一步攀升至每月29万到30万片。全球DRAM市场占有率预计将在2026年提升至15%，营收年增有望超过60%。
在HBM这一AI核心存储赛道，该厂不仅已交付16纳米HBM3样品，其HBM后段封装厂也预计于2026年底投产，并计划在2027年完成HBM3E开发。尽管整体进度落后于SK海力士等国际厂商三至四年，但这一进展仍标志着中国在高端存储器领域的重大突破。
此次在高频宽存储器领域的突破，不仅提升了国内存储芯片的技术水平，也为未来AI应用提供了强大的支持。