长鑫存储向华为交付HBM3样品，国产高带宽存储取得突破

据行业消息，中国大陆最大存储芯片制造商长鑫存储已向华为等国内客户成功交付16纳米制程的HBM3（高带宽存储器）样品，标志着中国在人工智能芯片核心配套领域迈出关键一步。此举被视为突破海外技术封锁、实现高端存储自主化的重要进展，为后续大规模量产奠定基础。
长期以来，HBM作为AI训练服务器的关键组件，其供应链被韩国企业高度垄断。受美国出口管制影响，中国AI芯片企业在获取先进存储器方面面临挑战。长鑫存储此次送样HBM3，意味着国内AI产业链在“存算协同”环节取得实质性突破，有助于缓解华为、寒武纪等企业在算力扩展上的瓶颈。
技术层面，长鑫存储的HBM3产品虽整体进度较SK海力士、三星等国际领先厂商落后3至4年，但其产品良率已接近行业主流水平。公司在2024年实现DDR5 DRAM量产的基础上，通过工艺优化，2025年下半年DDR5平均良率突破80%，并跳过17纳米节点直接进入16纳米制程，性能对标国际主流产品，带宽达6400Mbps。
为提升产能，长鑫存储采用“核心技术自研+基础产能代工”的创新模式，与合肥晶合合作转移部分基础芯片生产，释放自有产线资源。机构预测，2025年其合肥与北京工厂月产能将提升至28万片，2026年有望达到30万片，全球DRAM市场份额预计将升至15%，2026年营收同比增幅或超60%。
在HBM布局方面，除已送样的HBM3外，长鑫存储正在建设上海HBM后段封装厂，预计2026年底投产，并计划2027年完成HBM3E研发。这一节奏虽落后于国际先进水平，但显示出持续追赶的决心。
资本市场方面，长鑫存储已于2024年7月启动IPO辅导，并于同年10月完成辅导验收，预计最快2026年第一季度登陆A股，计划募资200亿至400亿元，有望成为“存储芯片第一股”。在完成多轮战略融资后，公司估值已超1500亿元，随着AI需求持续爆发，IPO估值有望突破3000亿元。
分析认为，尽管在制程精度与3D堆叠封装技术上仍面临挑战，但长鑫存储的突破为中国AI产业链自主可控提供了关键支撑。未来若能与本土AI芯片企业形成协同，将有望加速国产高端存储的规模化应用，逐步参与全球竞争。