AI驱动存储市场进入超级周期

全球存储芯片产业正迎来由人工智能引爆的“超级周期”。自2024年底开启的涨价潮持续至今，2025年第三季度DRAM综合价格指数同比上涨近20%，第四季度涨势进一步加速，部分产品季度涨幅达30%，彻底打破传统3-4年的行业周期规律。这一轮景气上行，源于AI服务器对高性能存储的海量需求，正在深刻重塑供需格局与技术路线。
供给端呈现结构性紧张。三大原厂三星、SK海力士、美光正加速退出DDR4产能，将资源全面转向HBM和DDR5。三星已于2025年中停止DDR4接单，SK海力士计划2026年全面停产，美光也仅保留少量工业订单。与此同时，HBM等高端产品单颗芯片耗用的晶圆面积是标准DRAM的三倍以上，严重挤占了传统产能。尽管原厂提升产能利用率至80%以上，但供应增长仍远跟不上需求爆发。
需求端由AI全面驱动。AI服务器成为核心引擎，单台所需存储容量是传统服务器的4至8倍。2025年全球AI服务器出货量预计达1330万台，到2027年，AI相关应用将占据DRAM市场超五成份额。HBM需求尤为强劲，2026年预计同比增长67%，其产能已被云服务商提前锁定。此外，AI手机、AI PC、数据中心及汽车电子等多场景需求共振，推动终端设备存储容量普遍升级。
技术发展加速迭代。HBM4预计2025年底开始出货，2026年大规模量产，单颗容量将提升至48GB。DDR5在服务器市场渗透率快速提升，2026年将成为主流。NAND领域，3D堆叠层数正向400层迈进，QLC技术普及率将从当前的20%提升至2027年的40%，成为成本敏感型应用的首选。CXL互连、存算一体等新技术也在探索中，有望突破传统架构瓶颈。
竞争格局方面，国际三强垄断加剧，三星、SK海力士、美光合计占据近七成DRAM市场。中国厂商正加速追赶，长江存储（YM）凭借Xtacking架构在NAND领域快速崛起，目标2026年市占率达15%，进入全球前三；长鑫存储（CX）则在DRAM领域填补国产空白，预计2026年市占率提升至15%。地缘政治因素推动产业链本土化，中国正大力扶持存储产业，目标2027年自给率提升至25%。
展望未来，2026年DRAM市场供需缺口预计持续存在，价格将保持上行但涨幅趋缓。NAND市场整体供需基本平衡，但大容量企业级SSD和车用存储等细分领域仍将面临结构性短缺。这场由AI引领的存储革命，不仅是价格的波动，更是技术、格局与产业生态的全面重构，掌握其脉动者，方能把握住数字经济时代的关键基础设施机遇。