SK海力士携手台积电攻坚AI存储瓶颈，布局下一代HBM技术

在全球人工智能浪潮加速演进的背景下，存储器正从传统配套元件跃升为决定AI系统性能的核心要素。韩国存储器巨头SK海力士近日公布其面向AI时代的新一代存储技术战略，明确提出要突破“存储器高墙”——即处理器算力飞速提升，而存储带宽与容量却难以同步跟进所形成的技术瓶颈。
为应对这一挑战，SK海力士正全面升级自身定位，从“全品类存储器供应商”向“全栈AI存储器创造者”转型。公司披露了三大技术方向：定制化高带宽存储器（Custom HBM）、AI专用DRAM（AI-D）和AI专用NAND闪存（AI-N），覆盖从数据中心到机器人、工业自动化及移动终端等多元应用场景。
其中，AI-D细分为三大类别：AI-D O（Optimization）聚焦低功耗与高能效，旨在降低总体拥有成本；AI-D B（Breakthrough）主打超高容量与灵活内存分配，直接应对“存储器高墙”；AI-D E（Expansion）则致力于拓展DRAM在非数据中心领域的应用边界。而在AI-N方面，SK海力士同步推进性能、带宽与密度三大维度的升级，以满足AI训练与推理对高速、大容量存储的迫切需求。
尤为引人注目的是，SK海力士明确透露，正与中国台湾半导体厂台积电紧密合作，共同研发下一代HBM的基础裸晶（base dies）。这一合作并非首次——双方早在2022年便加入台积电主导的“3D Fabric联盟”，并于去年签署合作备忘录，联手推进HBM4技术开发。业内分析指出，SK海力士特别强调与台积电的合作，凸显了先进封装与异构集成在AI芯片生态中的关键地位，也反映出台积电在AI硬件底层架构中日益核心的角色。
当前，HBM已成为AI服务器不可或缺的高性能存储方案，而SK海力士凭借先发优势，已在该领域超越三星，稳居全球领先地位。随着与台积电在3D堆叠、硅中介层及先进封装等技术上的深度协同，其下一代HBM产品有望在带宽、能效与集成度上实现进一步突破。
这场由AI驱动的存储革命，正重塑全球半导体产业格局。SK海力士与台积电的强强联合，不仅加速了高性能存储技术的迭代，也为全球AI基础设施的持续演进提供了关键支撑。对全球产业链而言，唯有持续投入核心技术研发、深化上下游协同，方能在AI时代的算力竞赛中占据主动。