铠侠联手英伟达打造百倍速SSD，剑指AI存储新赛道

面对生成式人工智能对数据吞吐能力的极致需求，日本存储芯片巨头铠侠近日宣布，正与英伟达展开深度合作，计划于2027年前推出一款读取速度较当前产品提升近100倍的新型固态硬盘（SSD）。该产品目标随机读取性能高达1亿IOPS（每秒输入/输出操作次数），旨在为AI数据中心提供高性价比、大容量的高速存储解决方案。
传统SSD需通过中央处理器（CPU）与图形处理器（GPU）通信，存在延迟瓶颈。而此次合作开发的新一代SSD将支持直接连接GPU，实现更高效的数据交换。为满足英伟达提出的单设备2亿IOPS性能要求，铠侠拟采用双SSD组合方案，并全面兼容未来的PCIe 7.0接口标准。
这一战略举措的核心目标之一，是部分替代当前AI系统中广泛使用的高带宽存储器（HBM）。尽管HBM性能卓越，但其高昂的单位成本严重制约了存储容量的扩展。作为专注NAND闪存的厂商，铠侠自身并不生产DRAM，因此希望通过超高速SSD在保持成本优势的同时，承担部分原本由HBM负责的大容量缓存任务，从而在AI存储生态中占据关键一席。
技术实现上，铠侠将依托其自研的“XL-FLASH”高速NAND闪存技术。该技术通过控制每个存储单元仅写入1至2比特数据，在速度、耐久性与成本之间取得更优平衡。目前第三代XL-FLASH已进入开发尾声，将成为2027年量产版1亿IOPS SSD的核心基础。
为达成百倍性能跃升，研发团队采取多项激进优化措施：包括大幅增加NAND芯片内部的平面分割数量以提升并行读取能力，即便牺牲部分芯片面积也在所不惜；同时将数据读取单位“页”缩小至512字节（仅为传统1/8），并针对性优化功耗管理，以应对由此带来的能效挑战。
根据路线图，铠侠将于2026年率先推出基于第二代XL-FLASH、性能达1,000万IOPS的工程样品，完成验证后，于2027年正式推出目标产品。若该计划顺利落地，不仅将重塑AI存储架构，也为NAND闪存在高性能计算领域的应用开辟全新路径。
在全球AI算力竞赛持续升级的背景下，存储不再只是“仓库”，而是决定系统效率的关键引擎。铠侠与英伟达的此次联手，标志着存储厂商正从被动供应转向主动定义AI硬件架构，也为全球产业链提供了在先进存储领域协同创新的重要启示。