SK海力士发布未来五年技术路线图，DDR6、GDDR8与PCIe Gen7 SSD蓄势待发

在全球人工智能与高性能计算需求持续攀升的推动下，韩国存储器巨头SK海力士近日在SK AI技术大会上首次公开其未来五至七年的DRAM与NAND闪存产品路线图，清晰勾勒出下一代存储技术的发展脉络。
根据规划，低功耗版DDR6（LPDDR6）将于2026至2028年间率先应用于移动设备与边缘AI终端，而标准版DDR6系统存储器则预计在2029至2031年正式登场，起始速率将达8800 MT/s，最高可突破17600 MT/s，相较当前主流DDR5实现翻倍性能提升，为未来AI服务器、台式机及高端笔记本电脑提供更强内存带宽支持。
在图形存储器领域，尽管英伟达已在RTX 50系列显卡中采用GDDR7，但SK海力士指出，2026至2028年期间图形存储技术将维持稳定，下一代产品——暂称“GDDR7-Next”（可能命名为GDDR8或GDDR7X）预计于2029至2031年推出，将进一步满足AI训练、图形渲染及元宇宙应用对显存带宽的极致需求。
NAND闪存方面，SK海力士预计2026至2028年仍将由PCIe Gen5固态硬盘（SSD）主导市场，单盘容量可突破245TB（基于QLC技术），同时PCIe Gen6 SSD将逐步普及。到2029至2031年，公司将全面转向PCIe Gen7接口，并同步推出堆叠层数超过400层的第四代3D NAND（即“4D NAND”），在容量、能效与读写速度上实现新一轮跃升。
这一路线图不仅体现了SK海力士对AI时代存储需求的深度洞察，也凸显其在DRAM与NAND双赛道持续领跑的战略布局。随着数据中心、自动驾驶、智能终端等场景对“存算协同”提出更高要求，存储器正从幕后走向台前，成为决定系统整体性能的关键一环。
对全球产业链而言，SK海力士的技术演进路径释放出明确信号：未来存储竞争不仅是容量与速度的比拼，更是架构创新、能效优化与生态协同的综合较量。唯有提前布局、加强软硬件融合，方能在AI驱动的新一轮科技浪潮中占据主动。