SK海力士传对英伟达的HBM4报价大涨5成 ，巩固高端存储市场主导地位
* 来源 : * 作者 : admin * 发表时间 : 2025-11-06
在全球人工智能和高性能计算需求推动下，韩国半导体巨头SK海力士在与英伟达的第六代高带宽内存（HBM4）供应谈判中占据上风，并成功将价格上调超过50%，单颗报价约为560美元。这一举措不仅巩固了其在高端存储市场的领导地位，还预示着明年营业利润有望突破70万亿韩元。
技术升级推高成本，HBM4涨价有理
HBM4的技术进步显著提升了其制造成本。该产品拥有2048个数据传输通道，是前一代HBM3E的两倍。此外，连接图形处理器（GPU）与HBM的基础芯片新增了计算效率和能源管理等逻辑工艺，使得SK海力士首次决定将基础芯片外包给台积电生产。考虑到这些技术进步带来的成本增加，SK海力士提出的每颗HBM4的价格为500多美元，较前一代产品提价逾50%。尽管英伟达最初对大幅涨价表现出保留态度，但最终还是接受了SK海力士的提议。一位公司高管表示：“考虑到制程的进步和投入的成本，HBM4确实具备大幅提价的理由。”
高利润率助力业绩增长
完成价格谈判后，SK海力士向机构投资者透露，明年的营业利润率将继续维持高位。公司已确认符合英伟达规格的产品价格和供应量，即使三星和美光进入HBM4市场，也不会对其业绩产生负面影响。业界估算，SK海力士的HBM4毛利率约为60%。若维持当前水平，HBM业务明年销售额预计将达到40万亿至42万亿韩元，营业利润约25万亿韩元。随着从HBM3E转向HBM4，该公司整体HBM业务表现预计将较今年增长40%至50%。通用型DRAM价格上涨，推动整体盈利
除了HBM4，全球AI基础设施投资热潮也带动了图形双倍数据速率（GDDR）和低功耗DDR等通用型DRAM价格的上涨。根据最新数据，DDR4固定交易价格已突破7美元，创近七年新高。由于主要存储芯片企业集中扩充HBM产线，导致通用型DRAM供应紧张，进一步推高了市场价格。
分析显示，随着DRAM价格上涨，SK海力士明年通用型DRAM的营业利润率也可能接近50%至60%。一位业内人士指出：“随着推理AI市场的快速扩张，存储芯片供应短期内无法跟上需求。”这意味着SK海力士在产品生产前就已售罄明年产能，从而维持高利润率。
展望未来，持续增长可期
综合HBM4的高利润率和通用型DRAM价格上涨的因素，市场预测SK海力士明年营业利润有望超过70万亿韩元。这一预期基于公司已确保HBM4的盈利能力，并通过“绑定产品节点+绑定产能”的方式，巩固了2025年及以后的需求能见度。SK海力士的成功不仅在于其技术领先，更在于其敏锐捕捉市场需求变化的能力。随着AI和高性能计算领域的快速发展，SK海力士正通过技术创新和战略调整，不断巩固其在全球存储器市场的领先地位。未来，随着更多先进技术的应用，SK海力士有望继续书写新的业绩纪录。
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