华邦电：本轮存储器涨价周期超越传统6到9个月规律，客户纷纷签长约锁定供应

中国台湾半导体厂华邦电在第三季度交出亮眼成绩单，存储器业务毛利率突破50%。总经理陈沛铭坦言，其中相当一部分收益来自库存价值重估的回转效应，但该因素在第四季度已基本消退。即便如此，公司仍有信心凭借营收显著增长，维持获利水平接近或持平于第三季度。
谈及当前DRAM市场走势，陈沛铭指出，过去存储器涨价周期通常持续6至9个月便回落，但本轮上涨展现出明显的结构性特征。一方面，DDR4无法采用最先进制程生产，产能扩张受限；另一方面，客户需求不仅强劲，且具备长期性——部分客户甚至要求供货保障延续至2028年以后。
尤其在数据中心领域，AI服务器与网络交换设备对高容量DRAM的需求仍以DDR4为主。由于基础设施对系统稳定性与兼容性要求极高，DDR4在其产品生命周期内（普遍超过五年）仍将保持主流地位。尽管未来两三年部分交换器控制器可能转向DDR5，但短期内DDR4需求依然稳固。
为应对持续增长的订单，华邦电正加速推进16纳米制程扩产。目前高雄厂月产能约15K片，其中16纳米占比尚小，目标是在2026年将其提升至总产能的约三分之二。新设备预计2026年第二季度开始安装，下半年逐步释放产出，最终将整体产能扩充至24K–25K片，带动位元产量翻倍、晶圆出货量增长约60%。
在NOR Flash与SLC NAND等利基型存储器领域，华邦电致力于成为代码存储（Code Storage）市场的核心供应商。由于这些产品基于成熟制程，新竞争者难以大规模进入，市场预计将保持每年约20%的稳定位元成长。
面对客户日益强烈的长期供货需求，华邦电倾向于签订数量锁定的长期合约（LTA），而非固定价格条款。价格通常按季度或半年度根据市场行情协商调整。陈沛铭强调，公司供应的是特殊型存储器，而非标准化商品，与主流客户建立了基于互信的稳定合作关系。
此外，公司在先进封装技术上持续投入，Cube平台进展顺利，目标是将其打造为边缘AI推理与低延迟计算的关键解决方案。目前正开发硅穿孔（TSV）与混合键合（Hybrid Bonding）技术，未来不仅提供独立DRAM芯片，还可协助客户将SoC与华邦电的存储芯片进行异构集成。鉴于掌握该技术的厂商有限，此举有望开辟新的高附加值业务模式。
展望资本支出，华邦电规划2025至2027年间总投资约400亿新台币，优先以经营性现金流支应。随着产能爬坡与运营效率提升，公司预期未来现金流将持续改善，为技术升级与产能扩张提供坚实支撑。