SK海力士加速推进1c DRAM制程，为HBM4E量产奠定基础

在全球人工智能需求持续爆发的背景下，韩国存储器大厂SK海力士正将2026年的投资重心转向第六代10纳米级（1c）DRAM制程，全面启动产线转换，为下一代高带宽存储器HBM4E及高性能服务器DRAM的量产铺路。
据韩国媒体ddaily援引业界消息，SK海力士在完成以HBM3E为核心的生产线优化后，已开始制定1c DRAM工艺的具体设备调整与部署方案。该制程作为10纳米级第六代技术节点，通过进一步缩小电路线宽，显著提升芯片的能效比和集成密度，对降低AI服务器整体功耗、提升算力效率至关重要。
为确保1c工艺的良率与性能，SK海力士计划在此次制程过渡中增加极紫外光刻（EUV）的使用层数，并同步优化光刻、蚀刻及清洗等关键环节的设备配置，以提升整体制造精度。此举不仅有助于巩固其在高端DRAM市场的技术领先地位，也将直接影响未来HBM4E产品的成本控制与供货能力。
随着AI训练与推理对高带宽、低延迟存储的需求不断攀升，HBM已成为数据中心的关键组件。SK海力士作为全球HBM主要供应商之一，提前布局1c节点，意在抢占下一代AI硬件生态的先机。业内分析指出，此次制程升级不仅是技术迭代，更是应对英伟达等客户对更高性能存储方案迫切需求的战略举措。
在先进制程竞赛日益激烈的当下，SK海力士通过持续加码EUV应用与产线智能化改造，正加速构建从标准DRAM到HBM全系列产品的技术护城河，为未来两年AI基础设施的爆发式增长做好产能与技术双重准备。