美光2025财年Q3创收新高 AI驱动存储需求全面爆发

在人工智能浪潮持续席卷全球的背景下，美光科技于2025财年第三季度交出了一份亮眼成绩单：实现营收93亿美元，同比增长37%、环比增长15%，创下历史新高。这一强劲表现主要得益于数据中心和高带宽存储器（HBM）业务的迅猛增长，凸显其在AI内存市场的领先地位。
本季度，美光非GAAP毛利率达39.0%，净利润为22亿美元，每股摊薄收益1.91美元，经营活动现金流高达46亿美元，占营收比重达50%。其中，DRAM业务贡献71亿美元，同比增长51%；NAND闪存收入达22亿美元，环比增长16%。计算与网络业务部门以51亿美元营收领跑，HBM产品收入环比激增近50%；移动业务亦表现突出，环比增长45%，达16亿美元。
在数据中心领域，美光实现重大突破——数据中心收入同比翻倍，并跃居2025年第一季度全球数据中心SSD市场份额第二位。同时，公司仍是业界唯一量产低功耗服务器DRAM的供应商。技术方面，其采用极紫外（EUV）光刻工艺的1-gamma DRAM节点进展顺利，相较上一代1-beta，位密度提升30%、功耗降低超20%、性能提高15%，良率爬坡速度也刷新纪录。
为支撑长期发展，美光宣布未来20余年将在美国投资约2000亿美元，其中1500亿用于制造，500亿投向研发。计划包括在爱达荷州博伊西建设第二座先进存储芯片晶圆厂（ID2），升级弗吉尼亚州马纳萨斯工厂，并首次将HBM先进封装能力引入本土。首座新厂（ID1）预计于2027年下半年投产。
展望2025财年第四季度，美光最初指引营收中值达107亿美元，毛利率升至42%左右。而实际财报显示，公司再度超预期，实现营收113.2亿美元，每股盈利3.03美元，毛利率更自2018年以来首次突破50%。尽管业绩强劲，市场短期关注其2026年资本支出扩大的影响，股价盘后略有回调。
当前，各终端市场客户库存处于健康水平，美光预计非HBM DRAM与NAND的供应增速将低于行业需求增速，供需格局有利。机构预测，2025年全球DRAM位需求将增长近20%，NAND增长约10%；中长期复合年增长率均维持在10%以上。
随着AI训练与推理对高性能、大容量存储提出更高要求，美光凭借技术迭代、产能布局与生态协同，正牢牢把握这一历史性机遇，在全球半导体产业变革中占据关键一席。