传CJ存储启动第三工厂，布局DRAM新赛道

面对人工智能和数据中心建设带来的强劲需求，中国存储产业正加速自主化进程。据《日经亚洲》报道，中国最大的NAND闪存制造商CJ存储已在武汉正式启动第三座晶圆厂建设，预计2027年投产，同时加快第二厂区的产能扩充。这一举措标志着其在外部压力下仍坚定推进技术升级与规模扩张。
近年来，CJ存储持续突破关键制程瓶颈。尽管被列入美国实体清单后一度失去先进设备与技术支持，公司通过与中微半导体等国产设备厂商深度合作，在蚀刻等核心工艺环节实现重要进展，稳步推进128层及以上3D NAND闪存量产。更值得关注的是，多位行业消息人士透露，CJ存储正评估进军DRAM芯片领域，为未来切入高带宽存储器（HBM）市场铺路。HBM作为AI服务器的关键组件，需求正随大模型训练与推理场景爆发而激增。
目前，中国另一家存储龙头CX存储已在DRAM领域占据全球第四的市场份额，并从DDR4向主流DDR5技术过渡，积极布局HBM相关产能。若CJ存储成功拓展DRAM业务，将与CX形成“双轮驱动”格局，显著提升中国在存储器全产业链的自主可控能力。
据机构Omdia统计，CJ存储2025年资本支出已占全球NAND总投资的约20%。若扩产顺利，其2026年以产能计算的全球市占率有望达到10%，并在两年内挑战美光的行业地位，跻身全球前四；按营收计算，该公司在2025年第二季度已占全球NAND市场的约5%。尽管当前主要聚焦国内市场，但随着技术成熟与产能释放，其全球影响力将持续增强。
在全球存储供应链高度集中的背景下——长期由三星、SK海力士、铠侠、西数、美光及思得等少数厂商主导——CJ存储的快速崛起不仅回应了国内AI基础设施对高性能存储芯片的迫切需求，也为构建安全、韧性的本土半导体生态注入关键动能。未来，随着NAND与潜在DRAM业务协同发展，中国存储产业有望在全球格局中扮演更加重要的角色。