美光纽约晶圆厂严重延期，战略重心转向爱达荷州

美国存储巨头美光科技位于纽约州克莱市的首座先进晶圆厂建设遭遇重大延误。根据最新环境评估文件，原定2025年投产的计划已被推迟至2030年底完工，设备安装与试产周期进一步拉长，最早2033年才能实现DRAM量产，较最初规划晚了近八年。当地官员将原因归结为熟练技工短缺、供应链波动及审批流程复杂化——这些已成为美国本土半导体建厂的共性挑战。面对现实，美光已果断调整战略布局：将原定用于纽约项目的部分《芯片法案》补贴（约12亿美元）转投爱达荷州博伊西的两座新厂，并优先推进HBM等高附加值产品的本土制造。公司强调，此举不影响其“到2030年在美国生产40% DRAM”的总体目标，反而有助于更快响应北美AI客户对高带宽存储器的迫切需求。这一调整也凸显出，在全球地缘政治背景下，半导体产能布局正从“全面铺开”转向“精准聚焦”。